[發明專利]一種原位生長SiC納米線增強SiC陶瓷基復合材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201711246466.X
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN107903067A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 陳照峰;廖家豪
• 申請（專利權）人: 蘇州宏久航空防熱材料科技有限公司
• 主分類號: C04B35/571
• 分類號: C04B35/571;C04B35/622;C04B35/628;C04B35/80
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1.一種原位生長SiC納米線增強SiC陶瓷基復合材料，由增強纖維，SiC納米線，界面層和SiC基體組成；其特征在于SiC納米線原位生長在增強纖維上，界面層包覆在增強纖維和SiC納米線表面，SiC基體填充在增強纖維和SiC納米線圍成的間隙中；所述的增強纖維為C纖維或SiC纖維；所述的SiC納米線直徑為50~200nm，長度為0.5~3mm；所述的界面層為PyC或BN，厚度為0.02~0.1μm。

2.一種原位生長SiC納米線增強SiC陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于包括下述順序的步驟：

（1）將聚碳硅烷、二茂鐵、活性炭按質量比1:0.01~0.05:3~6混合球磨制得均勻的粉末先驅體，均勻放入到石墨坩堝中；

（2）將增強纖維布覆蓋在步驟（1）中放有粉末先驅體的石墨坩堝上，然后一起放入到高溫燒結爐中，以5~10℃/min的升溫速率升溫至1300~1500℃，保溫時間1~5h，并通入流動性Ar；

（3）將步驟（2）處理后的增強纖維布鋪在石墨模具中，采用針刺方法將增強纖維布制成纖維預制體；

（4）采用化學氣相滲透法在步驟（3）制備好的纖維預制體上沉積界面層；

（5）以含乙烯基液態聚碳硅烷為陶瓷先驅體，通過先驅體浸漬裂解法在步驟（4）制備好界面層的纖維預制體中制備SiC基體，裂解溫度1100~1300℃，得到原位生長SiC納米線增強SiC陶瓷基復合材料。