[發明專利]一種C/SiC陶瓷基復合材料的修復方法

有效

• 申請號: 201711246222.1
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN107915499B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 陳照峰;劉佳寶
• 申請（專利權）人: 蘇州宏久航空防熱材料科技有限公司
• 主分類號: C04B41/87
• 分類號: C04B41/87;C04B41/85
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種C/SiC陶瓷基復合材料的修復方法，其特征在于，包括以下順序步驟：

（1）打磨試樣表面，清洗干燥；

（2）清洗C/SiC陶瓷基復合材料試樣的斷口，用質量分數為10~15%的HF腐蝕30～60min；

（3）將腐蝕后的試樣放在去離子水中超聲清洗，清洗時間為20～40min，烘干；

（4）將烘干后的試樣浸泡于Ni(NO₃)₂·6H₂O的丙酮溶液中，Ni(NO₃)₂﹒6H₂O

的質量分數為0.6%~3%，時間為2~4h，真空干燥；

（5）將（4）干燥好的試樣用石墨紙包住，只露出斷口，放入真空爐中，通入C₂H₂、 H₂和Ar，C₂H₂、H₂和Ar比例為1：1~25：1~25，溫度為700~900℃，時間為10~100h，隨后關閉C₂H₂和H₂，升溫到900~1600℃，保溫10~100min；

（6）通入C₃H₆，C₃H₆與Ar比例為1:2~5，溫度為800~1200℃，時間為5~50h；

（7）關閉C₃H₆，通入三氯甲基硅烷和H₂， H₂和CH₃SiCl₃比例為1：

5~15，溫度為950~1250℃，系統壓強為10~1000Pa, 時間為50~300h；

（8）取出試樣，去掉石墨紙，用金剛石磨具打磨修復表面，使修復表面與

樣品表面平行，并且粗糙度一致；

（9）把（8）處理后的樣品放到真空爐中，通入三氯甲基硅烷、H₂和Ar,H₂和CH₃SiCl₃比例為1：5~15，溫度為950~1250℃，壓強為10~1000Pa, 時間為5~30h；

（10）采用等離子噴涂法在試樣表面噴涂硅酸釔和莫來石復合涂層，使用莫來石粉末化學純度為99.5％，粉末粒度為100-200目，硅酸釔粉末化學純度為 99.448％，粉末粒度為100-200目。