[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法在審
| 申請號： | 201711245171.0 | 申請日： | 2017-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN108039371A | 公開（公告）日： | 2018-05-15 |
| 發明（設計）人： | 柯天麒;姜鵬;湯茂亮 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 歐陽帆 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體 晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種LDMOS晶體管，其特征在于，包括：
襯底，在襯底中形成有溝道區、源極區、漏極區和在溝道區與漏極區之間的漂移區；以及
電介質層，放置在漂移區的至少一部分上，并且與襯底的主表面直接接觸，
其中所述電介質層帶有電荷以使得在所述電介質層下的漂移區中形成相應感應區域，所述感應區域具有與漂移區相反的導電類型。
2.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述電介質層由高介電常數材料形成。
3.根據權利要求2所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述高介電常數材料選自如下中的至少一種：HfO、HfSiO、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al
4.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述電介質層的厚度在10到500納米的范圍內。
5.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述電介質層的沿溝道方向的寬度在0.1到1000微米的范圍內。
6.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述漂移區的導電類型為N型，且摻雜濃度為1e11～1e17cm
7.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，源極區、漏極區和漂移區的導電類型為N型，電介質層帶有的電荷為負電荷，感應區域的導電類型為P型。
8.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，源極區、漏極區和漂移區的導電類型為P型，電介質層帶有的電荷為正電荷，感應區域的導電類型為N型。
9.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，還包括位于襯底上方的柵極結構，所述柵極結構覆蓋電介質層的至少一部分。
10.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，襯底為P型襯底，溝道區由P型襯底的一部分形成，漂移區和漏極區由P型襯底中的N型阱形成。
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