[發明專利]PMOS器件及計算機在審
| 申請號： | 201711244554.6 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108039370A | 公開（公告）日： | 2018-05-15 |
| 發明（設計）人： | 左瑜 | 申請（專利權）人： | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黃晶晶 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新區高新路86號*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | pmos 器件 計算機 | ||
1.一種PMOS器件(100)，其特征在于，包括：
Si襯底(101)；
晶化SiGe層(102)，設置于所述Si襯底(101)上表面；
N型應變Ge層(103)，設置于所述晶化SiGe層(102)上表面；
柵極(104)，設置于所述N型應變Ge層(103)上表面中間位置處；
源區(105)與漏區(106)，設置于所述N型應變Ge層(103)上部并分別位于所述柵極(104)兩側位置處；
源區電極(107)、漏區電極(108)，分別設置于所述源區(105)上表面中間位置處與所述漏區(106)上表面中間位置處；
介質層(109)，設置于所述源區(105)上表面并位于所述源區電極(107)兩側位置處、所述漏區(106)上表面并位于所述漏區電極(108)兩側位置處及所述柵極(104)上表面；
鈍化層(110)，設置于所述源區電極(107)、所述漏區電極(108)及所述介質層(109)上表面。
2.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，所述Si襯底(101)為厚度為2μm的單晶硅。
3.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，所述晶化SiGe層(102)的厚度為300～400nm。
4.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，N型應變Ge層(103)的厚度為800～900nm。
5.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，所述源區電極(107)與所述漏區電極(108)均為鎢。
6.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，所述源區電極(107)與所述漏區電極(108)的厚度均為10～20nm。
7.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，所述介質層(109)為BPSG。
8.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，所述介質層(109)的厚度為20～30nm。
9.根據權利要求1所述的PMOS器件(100)，其特征在于，所述鈍化層(110)為SiN。
10.一種計算機，包括：主板、設置于主板上的CPU和內存，其特征在于，所述CPU和所述內存的集成電路中均包括如權利要求1～9所述的PMOS器件。
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