[發明專利]一種掃描程式建立方法、掃描機臺及掃描方法

在審

• 申請號: 201711244397.9
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108022850A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 何廣智;胡向華;黃莉晶
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種掃描程式建立方法，其特征在于，包括：

選取至少一個模板圖像，在每個模板圖像上定義至少一個參考點，所述至少一個參考點用于對一基底進行轉角調整；

當基底進入掃描機臺時，根據所述至少一個參考點，對所述基底進行轉角調整；

向所述基底發射掃描光；

接收所述基底對所述掃描光反射的反射光；以及

根據所述反射光獲取所述基底的缺陷數據信息，建立掃描程式。

2.如權利要求1所述的掃描程式建立方法，其特征在于，所述對一基底進行轉角調整的步驟包括：

根據所述至少一個模板圖像中的任一模板圖像或任意組合上的至少一個參考點對所述基底進行轉角調整。

3.如權利要求1所述的掃描程式建立方法，其特征在于，所述對一基底進行轉角調整的步驟包括：

根據所有模板圖像上的至少一個參考點對所述基底進行轉角調整。

4.如權利要求1所述的掃描程式建立方法，其特征在于，向所述基底發射掃描光的步驟包括：

向所述基底的所有工藝層發射對應的光照強度的掃描光，其中，所述基底的不同工藝層各自對應不同的光照強度。

5.如權利要求4所述的掃描程式建立方法，其特征在于，所述向所述基底的工藝層發射對應的光照強度的掃描光之前，還包括：

對所述基底的所有工藝層做光強調試，得到所述基底的所有工藝層對應的光照強度。

6.如權利要求1所述的掃描程式建立方法，其特征在于，所述基底包括晶圓。

7.如權利要求1至6任一項所述的掃描程式建立方法，其特征在于，所述根據所述反射光獲取所述基底的缺陷數據信息的步驟包括：

定義所述基底所有工藝層對應的閾值，其中，所述基底的不同工藝層各自對應不同的預設的閾值；以及

根據所述反射光及所述閾值獲取所述基底的缺陷數據信息，建立掃描程式。

8.一種掃描機臺，其特征在于，包括：

基底發射單元，用于向所述基底發射掃描光；

接收單元，用于接收所述基底對所述掃描光反射的反射光；以及

處理單元，用于選取至少一個模板圖像，在每個模板圖像上定義至少一個參考點，在基底進入掃描機臺時根據所述至少一個參考點，對所述基底進行轉角調整，并用于根據所述反射光獲取所述基底的缺陷數據信息，建立掃描程式。

9.如權利要求8所述的掃描機臺，其特征在于，所述發射單元，還用于向所述基底的所有工藝層發射對應的光照強度的掃描光，其中，所述基底的不同工藝層各自對應不同的光照強度。

10.如權利要求9所述的掃描機臺，其特征在于，所述處理單元，還用于對所述基底的所有工藝層分別做光強調試，得到所述基底的所有工藝層對應的光照強度。

11.如權利要求8至10任一項所述的掃描機臺，其特征在于，所述處理單元還用于定義所述基底所有工藝層對應的閾值，根據所述反射光及所述閾值獲取所述基底的缺陷數據信息，建立掃描程式；其中，所述基底的不同工藝層各自對應不同的預設的閾值。

12.一種掃描方法，其特征在于，采用如權利要求8至11任一項所述的掃描機臺對一基底進行掃描，以獲取所述基底的缺陷數據信息，建立掃描程式。