[發明專利]基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法在審
| 申請號: | 201711244011.4 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN108008190A | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發明(設計)人: | 葉鳴;王露;張松昌;趙小龍;賀永寧 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | G01R27/02 | 分類號: | G01R27/02;G01N22/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 田洲 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 微波 信號 接觸 導電 薄膜 方塊 電阻 測量方法 | ||
1.一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)在非導電基體上沉積導電薄膜,獲得待測樣品;
(2)選取方塊電阻值已知的若干樣品作為校準樣品;將校準樣品置于微波傳感器中,通過測量微波傳感器的散射參數,獲得該微波傳感器的方塊電阻-散射參數關系曲線或建立查找表;
(3)將待測樣品放入微波傳感器中替換校準樣品,測量微波傳感器相應的散射參數;
(4)依據步驟(2)中獲得的方塊電阻-散射參數關系曲線或查找表和步驟(3)中的待測樣品散射參數,計算獲得待測樣品方塊電阻值。
2.根據權利要求1所述的一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,步驟(1)中通過磁控濺射沉積工藝、熱蒸發沉積工藝、電子束蒸發工藝、印刷工藝或化學沉積工藝在非導電基體上沉積導電薄膜,得待測樣品。
3.根據權利要求1所述的一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,步驟(2)中采用的微波傳感器為:
微波頻段的矩形波導、圓形波導、橢圓波導、脊波導、同軸線或其它非平面微波傳輸線;
或者,微帶線、帶狀線、共面波導、基片集成波導或其它平面傳輸線;
或者,圓柱諧振腔、介質填充圓柱諧振腔或其它非平面微波諧振結構;
或者,互補裂環諧振器、微帶天線、基片集成波導諧振器或其它平面微波諧振結構。
4.根據權利要求1所述的一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,步驟(2)中所述散射參數為:反射參數R、插入損耗T、諧振頻率或品質因子Q。
5.根據權利要求4所述的一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,散射參數的測量裝置為網絡分析儀。
6.根據權利要求1所述的一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,非導電基體為絕緣襯底或半導體襯底。
7.一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,包括如下步驟:選取方塊電阻值已知的若干樣品作為校準樣品;測量微波傳感器中放入校準樣品之后的散射參數;依據校準樣品測試數據獲得方塊電阻-散射參數關系曲線或查找表;測量待測樣品的散射參數;依據方塊電阻-散射參數關系曲線或查找表和待測樣品的散射參數計算得到待測樣品的方塊電阻值。
8.根據權利要求7所述的一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,導電薄膜的散射特性經由插損、回波損耗、諧振頻率或品質因子測量得到,且插損、回波損耗、諧振頻率或品質因子測量基于微波傳感器完成。
9.根據權利要求7所述的一種基于微波信號的非接觸式導電薄膜方塊電阻測量方法,其特征在于,微波傳感器為:
微波頻段的矩形波導、圓形波導、橢圓波導、脊波導、同軸線或其它非平面微波傳輸線;
或者,微帶線、帶狀線、共面波導、基片集成波導或其它平面傳輸線;
或者,圓柱諧振腔、介質填充圓柱諧振腔或其它非平面微波諧振結構;
或者,互補裂環諧振器、微帶天線、基片集成波導諧振器或其它平面微波諧振結構。
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