[發明專利]NMOS器件及其制備方法及計算機

在審

• 申請號: 201711243355.3
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108022979A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 左瑜
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/268;H01L21/336
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 黃晶晶

1.一種NMOS器件的制備方法，其特征在于，包括：

(a)選取Si襯底；

(b)在所述Si襯底上制作外延層；

(c)在所述外延層表面制作柵極；

(d)在所述外延層的第一指定區域與第二指定區域分別制作源區與漏區；

(e)在所述源區與所示漏區表面分別制作源區電極與漏區電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(b)之前，還包括：

(x1)利用RCA工藝，清洗所述Si襯底；

(x2)利用氫氟酸溶液，清洗所述Si襯底以去除所述Si襯底表面的氧化層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟(b)包括：

(b1)在400℃～500℃溫度下，利用磁控濺射工藝，在所述Si襯底上淀積厚度為450～500nm的Si0.11Ge0.89層，其中0.11與0.89分別表示對應成分的組分比例；

(b2)利用CVD工藝，在所述Si0.11Ge0.89層上淀積SiO2層；

(b3)利用激光再晶化工藝處理包括所述Si襯底、所述Si0.11Ge0.89層及所述SiO2層的整個材料，并將所述整個材料進行自然冷卻處理；

(b4)利用干法刻蝕工藝，刻蝕掉所述SiO2層，得到晶化Si0.11Ge0.89層作為所述Si0.11Ge0.89虛襯底；

(b5)在500～600℃溫度下，利用CVD工藝在所述Si0.11Ge0.89虛襯底上淀積厚度為900～950nm、摻雜濃度為1×1016～5×1016cm-3的P型Si0.11Ge0.89層。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在步驟(b3)之前，還包括：

將包括所述Si襯底、所述Si0.11Ge0.89層及所述SiO2層的整個材料進行預熱處理。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟(c)包括：

(c1)在250～300℃溫度下，利用原子層淀積工藝，在所述P型Si0.11Ge0.89層上淀積厚度為2～3nm的HfO2層；

(c2)利用電子束蒸發工藝，在所述HfO2層上淀積厚度為10～20nm的Al-Cu層；

(c3)利用刻蝕工藝，選擇性刻蝕所述HfO2層與所述Al-Cu層，在所述P型Si0.11Ge0.89層表面形成所述柵極。