[發明專利]導通孔的銅填充工藝有效
| 申請號： | 201711242898.3 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN107895710B | 公開（公告）日： | 2020-04-14 |
| 發明（設計）人： | 潘杰;呂術亮;馬亮;章星;李遠;周烽;萬先進 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導通孔 填充 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.導通孔的銅填充工藝，其特征在于，包括以下步驟：
分多步對導通孔的內部進行銅的結構區域物理氣相沉積，形成銅種子層，每步使用的沉積偏壓不同，其中首次物理氣相沉積的偏壓范圍為200W以下，沉積的銅種子層的厚度為2～5nm；
形成銅種子層的步驟還包括首次沉積步驟后的繼續沉積形成初步種子層的步驟，繼續沉積的偏壓為600～800W；
形成銅種子層的步驟還包括繼續沉積步驟后的再次沉積步驟，再次沉積步驟的沉積偏壓為800～1000W。
2.如權利要求1所述的銅填充工藝，其特征在于，
所述銅填充工藝還包括位于形成銅種子層步驟之后的對導通孔所在的載體層表面進行銅的非結構區域物理氣相沉積步驟，沉積的偏壓為200W以下。
3.如權利要求1所述的銅填充工藝，其特征在于，
導通孔的口徑大于等于100nm小于等于120nm，導通孔的深寬比大于等于5。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
