[發明專利]避免控制柵形成中刻蝕返工導致無定型碳膜剝落的方法有效
| 申請號： | 201711242834.3 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN107993922B | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 徐靈芝;張志剛 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 避免 控制 形成 刻蝕 返工 導致 定型 剝落 方法 | ||
1.避免控制柵形成中刻蝕返工導致無定型碳膜剝落的方法，其特征在于，包括：
步驟S1：提供一已形成單元區域和邏輯區域的晶圓；
步驟S2：在所述晶圓的上表面淀積具有填充能力的氧化物薄膜；
步驟S3：平整化所述氧化物薄膜；
步驟S4：去除所述單元區域的所述氧化物薄膜；
步驟S5：在所述單元區域的上表面以及所述邏輯區域的氧化物薄膜的上表面淀積無定形碳薄膜和介質抗反射薄膜；
步驟S6：進行所述單元區域的控制柵的形成；
步驟S7：去除所述邏輯區域的所述無定形碳薄膜和所述氧化物薄膜；
在所述步驟S2中，通過高深寬比工藝在所述晶圓上淀積所述氧化物薄膜；
在所述步驟S4中，通過光罩保護所述邏輯區域，并通過刻蝕工藝去除所述單元區域的所述氧化物薄膜。
2.根據權利要求1所述的避免控制柵形成中刻蝕返工導致無定型碳膜剝落的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述氧化物薄膜填充所述單元區域的上表面和所述邏輯區域的上表面。
3.根據權利要求1所述的避免控制柵形成中刻蝕返工導致無定型碳膜剝落的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，通過化學機械研磨將所述氧化物薄膜磨平。
4.根據權利要求3所述的避免控制柵形成中刻蝕返工導致無定型碳膜剝落的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，化學機械研磨停止在所述邏輯區域的多晶硅上方。
5.根據權利要求1所述的避免控制柵形成中刻蝕返工導致無定型碳膜剝落的方法，其特征在于，所述介質抗反射薄膜為無氮介質抗反射薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
