[發明專利]一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201711242532.6
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN107895726A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 晏國文
• 申請（專利權）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11603
• 代理人: 于淼

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，更具體地，涉及一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置。

背景技術

目前顯示面板主要包括兩大類：LCD顯示面板(Liquid Crystal Display，液晶顯示面板)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極管)顯示面板。在顯示面板技術中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜場效應晶體管)是顯示面板的核心部件，一般呈陣列排布制作在基板上，作為顯示面板像素單元的開關器件。薄膜晶體管包括：柵極、源極、漏極和有源層，源極和漏極分別與有源層連接，當對柵極施加電壓后，隨著柵極電壓增加，有源層表面將由耗盡層轉變為電子積累層，形成反型層，當達到強反型時(即達到開啟電壓時)，有源層有載流子移動實現源極和漏極之間的導通。就結構而言，根據柵極的位置，薄膜晶體管通常分為頂柵和底柵兩種結構。

但是，在實際應用過程中發現，常規的薄膜晶體管的可靠性較差。因此，提供一種性能可靠的陣列基板及其制作方法和顯示裝置，是本領域亟待解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置，解決了提高性能可靠性的技術問題。

第一方面，為了解決上述技術問題，本發明提出一種陣列基板，包括多個薄膜晶體管，薄膜晶體管包括：

有源層，有源層包括主溝道區和邊緣溝道區，在沿第一方向上，邊緣溝道區位于主溝道區的兩側；

絕緣層，設置于有源層之上，絕緣層在有源層所在平面的正投影覆蓋主溝道區和邊緣溝道區；

柵極金屬層，設置于絕緣層之上，柵極金屬層包括柵極和柵極線，

其中，柵極線與柵極相連接，柵極線沿第一方向延伸，柵極在有源層所在平面的正投影與主溝道區重合，沿第二方向上，柵極的寬度大于柵極線的寬度，第一方向與第二方向均與有源層所在的平面平行，且第一方向與第二方向相交。

第二方面，為了解決上述技術問題，本發明提出一種陣列基板的制作方法，陣列基板包括多個薄膜晶體管，制作方法包括：

制作薄膜晶體管的有源層，有源層包括主溝道區和邊緣溝道區，在沿第一方向上，邊緣溝道區位于主溝道區的兩側；

在有源層之上制作薄膜晶體管的絕緣層，絕緣層在有源層所在平面的正投影覆蓋主溝道區和邊緣溝道區；

在絕緣層之上制作薄膜晶體管的柵極金屬層，柵極金屬層包括柵極和柵極線，其中，柵極線與柵極相連接，柵極線沿第一方向延伸，柵極在有源層所在平面的正投影與主溝道區重合，沿第二方向上，柵極的寬度大于柵極線的寬度，第一方向與第二方向均與有源層所在的平面平行，且第一方向與第二方向相交。

第三方面，為了解決上述技術問題，本發明提出一種顯示裝置，包括本發明提出的任意一種陣列基板。

與現有技術相比，本發明的陣列基板及其制作方法和顯示裝置，實現了如下的有益效果：

本發明提供的陣列基板中的薄膜晶體管，在柵極和柵極線中通入電壓時，邊緣溝道區內由于柵壓的作用產生電流，但沿第二方向上邊緣溝道區的至少一側存在沒有被柵極線覆蓋的區域，邊緣溝道區不能沿第二方向上直接導通薄膜晶體管中的源極和漏極，避免了邊緣溝道區優先開啟使薄膜晶體管產生駝峰效應，進而提升顯示裝置性能可靠性。

通過以下參照附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述，本發明的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

被結合在說明書中并構成說明書的一部分的附圖示出了本發明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發明的原理。

圖1為相關技術中薄膜晶體管的俯視示意圖；

圖2為本發明實施例提供的陣列基板中薄膜晶體管的俯視示意圖；

圖3為圖2中沿切線A-A′的剖面示意圖；

圖4為本發明實施例提供的陣列基板的薄膜晶體管的另一種可選實施方式俯視示意圖；

圖5為本發明實施例提供的陣列基板的薄膜晶體管的另一種可選實施方式俯視示意圖；

圖6為圖5中沿切線C-C′的剖視示意圖；

圖7為相關技術中薄膜晶體管的一種可選實施方式示意圖；

圖8為本發明實施例提供的陣列基板的薄膜晶體管的另一種可選實施方式俯視示意圖；

圖9為本發明實施例提供的陣列基板的薄膜晶體管的另一種可選實施方式俯視示意圖；

圖10為本發明實施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；