[發明專利]磁場檢測傳感器在審
| 申請號： | 201711242210.1 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108152765A | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發明（設計）人： | 谷川純也;杉山洋貴;石居真;莊田隆博 | 申請（專利權）人： | 矢崎總業株式會社 |
| 主分類號： | G01R33/06 | 分類號： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京奉思知識產權代理有限公司 11464 | 代理人： | 吳立;鄒軼鮫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁阻抗元件 第二檢測 偏置磁場 偏置線圈 施加 磁場檢測傳感器 高頻振蕩電路 檢測電路 偏置電路 外部磁場 阻抗變化 高頻電流供給 磁性材料 電路生成 檢測信號 偏置電流 交流 電路 | ||
1.一種磁場檢測傳感器，包括：
第一磁阻抗元件和第二磁阻抗元件，所述第一磁阻抗元件和所述第二磁阻抗元件均具有磁性材料；
偏置線圈，該偏置線圈將偏置磁場施加到所述第一磁阻抗元件的磁體；
高頻振蕩電路，該高頻振蕩電路將高頻電流供給至所述第一磁阻抗元件的磁體和所述第二磁阻抗元件的磁體；
交流偏置電路，該交流偏置電路將交流偏置電流供給至所述偏置線圈；
第一檢測電路，基于所述第一磁阻抗元件在被施加所述偏置磁場和外部磁場的狀態下的阻抗變化，所述第一檢測電路生成第一檢測信號；
第二檢測電路，基于所述第二磁阻抗元件在被施加所述外部磁場且不被施加所述偏置磁場的狀態下的阻抗變化，所述第二檢測電路生成第二檢測信號；以及
磁場計算單元，基于所述第一檢測信號和所述第二檢測信號，所述磁場計算單元計算所述外部磁場的大小和方向。
2.根據權利要求1所述的磁場檢測傳感器，
其中，所述第一檢測電路生成根據阻抗從基準點的變化量而變化的電信號，所述基準點是所述第一磁阻抗元件在不被施加所述外部磁場的狀態下的阻抗特性的極值位置，并且
其中，所述第一檢測電路包括振幅檢測電路和相位檢測電路中的至少一者，所述振幅檢測電路檢測在所述電信號的電壓的正變化率和負變化率切換的各峰值處的振幅，所述相位檢測電路檢測所述電信號的電壓經過所述基準點的時刻。
3.根據權利要求1所述的磁場檢測傳感器，
其中，所述磁場計算單元使用根據情況而變化的權重對所述第一檢測信號和所述第二檢測信號中的至少一者進行加權，從而計算所述外部磁場的大小。
4.根據權利要求1所述的磁場檢測傳感器，
其中，所述磁場計算單元利用具有不同的檢測特性的所述第一檢測信號和所述第二檢測信號的組合，計算所述外部磁場的大小和方向，并且
其中，所述磁場計算單元對所述第一檢測信號和所述第二檢測信號中的至少一者的檢測特性進行偏移校正和每個區域的極性校正，使得所述多個檢測特性變為彼此接近。
5.根據權利要求4所述的磁場檢測傳感器，
其中，所述磁場計算單元對所述第一檢測信號和所述第二檢測信號中的至少一者的檢測特性進行增益調整，從而使得與小磁場對應的非線性區域接近線性區域。
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