[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711241953.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN109860291B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高磊;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底和凸出于所述襯底的鰭部，所述鰭部包括位于襯底表面的鰭部第一部分和位于所述鰭部第一部分頂部的鰭部第二部分；

在所述鰭部第一部分側(cè)壁上形成第一襯墊層；

在所述第一襯墊層表面、所述鰭部第二部分頂部及側(cè)壁上形成第二襯墊層；在所述襯底上形成覆蓋所述第二襯墊層的隔離膜，所述隔離膜頂部高于所述鰭部頂部或與所述鰭部頂部齊平；

去除高于所述鰭部第一部分頂部的第二襯墊層以及隔離膜，剩余隔離膜形成隔離層；

在所述隔離層露出的所述鰭部頂部及側(cè)壁表面形成柵氧化層；

形成所述第一襯墊層的工藝步驟包括：在所述鰭部第一部分側(cè)壁、所述鰭部第二部分頂部及側(cè)壁上形成第一襯墊膜；在所述襯底上形成抗反射涂層，所述抗反射涂層頂部與所述鰭部第一部分頂部齊平；去除位于所述鰭部第二部分頂部及側(cè)壁上的所述第一襯墊膜，剩余第一襯墊膜形成第一襯墊層；去除所述抗反射涂層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，在形成所述柵氧化層之前，所述鰭部兩側(cè)的所述隔離層寬度不相等。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述鰭部的數(shù)量為多個(gè)，在形成所述柵氧化層之前，部分所述鰭部兩側(cè)的所述隔離層寬度相等，其余所述鰭部兩側(cè)的所述隔離層寬度不相等。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述襯底包括邊緣區(qū)域以及位于相鄰邊緣區(qū)域之間的中心區(qū)域；所述中心區(qū)域的所述鰭部兩側(cè)的所述隔離層寬度相等，所述邊緣區(qū)域的所述鰭部兩側(cè)的所述隔離層寬度不相等。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述隔離層頂部與所述鰭部第一部分頂部齊平；在形成所述柵氧化層的步驟中，在所述隔離層露出的鰭部第二部分頂部和側(cè)壁上形成所述柵氧化層。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述隔離層頂部低于所述鰭部第一部分頂部；在形成所述隔離層的工藝步驟中，還去除所述鰭部第一部分部分側(cè)壁上的第一襯墊層、第二襯墊層以及隔離膜，露出所述鰭部第一部分部分側(cè)壁；在形成所述柵氧化層的步驟中，在所述隔離層露出的鰭部第一部分側(cè)壁、鰭部第二部分頂部及側(cè)壁上形成所述柵氧化層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，去除所述鰭部第一部分部分側(cè)壁上的所述隔離膜的厚度為

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，形成所述隔離膜的工藝步驟包括：在所述襯底上形成覆蓋所述第二襯墊層的初始隔離膜，且所述初始隔離膜頂部高于位于鰭部第二部分頂部上的第二襯墊層頂部；對(duì)所述初始隔離膜進(jìn)行平坦化處理，形成所述隔離膜。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述隔離膜的頂部高于位于鰭部第二部分頂部上的第二襯墊層頂部；或者，所述隔離膜頂部與位于鰭部第二頂部上的第二襯墊層頂部齊平。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述初始隔離膜的形成工藝包括流體化學(xué)氣相沉積工藝或高深寬比化學(xué)氣相沉積工藝。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層厚度及第二襯墊層厚度的總和為

12.如權(quán)利要求1或11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層厚度及第二襯墊層厚度的比值為0.5～1。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述鰭部第一部分高度與所述鰭部第二部分高度的比值為0.5～1.25。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，采用熱氧化處理工藝形成所述柵氧化層。