[發明專利]離子注入機束流均勻性的監控方法在審
| 申請號： | 201711241753.1 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108054118A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 李楠;姚雷 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 機束流 均勻 監控 方法 | ||
1.一種離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，包括：
提供一晶圓；
對所述晶圓進行爐管退火；
對所述晶圓進行離子注入，以形成測試晶圓；
對所述測試晶圓進行破壞值量測；
根據所述破壞值的均勻性判斷所述離子注入機束流的均勻性是否滿足控制要求。
2.如權利要求1所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，當所述破壞值是均勻的，所述離子注入機束流也是均勻的；當所述破壞值是非均勻的，所述離子注入機束流也是非均勻的。
3.如權利要求1所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，所述離子注入機的離子束電流在10mA-25mA之間。
4.如權利要求1所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，對所述測試晶圓進行破壞值量測的方法包括：采用熱波量測儀量測所述測試晶圓同一深度的多個熱波值。
5.如權利要求4所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，量測多組不同深度的熱波值。
6.如權利要求1所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，對所述晶圓注入的離子包括砷離子、磷離子、硼離子和砷離子中的至少一種。
7.如權利要求6所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，所述注入的離子的注入濃度包括1E13/cm
8.如權利要求7所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，所述注入的離子的注入能量包括0.5KeV-80KeV。
9.如權利要求7所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，所述離子注入機的聚焦電壓包括0-6KV。
10.如權利要求1所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，所述晶圓的材料包括P型硅片和N型硅片。
11.如權利要求1所述的離子注入機束流均勻性的監控方法，其特征在于，對所述晶圓進行離子注入，以形成測試晶圓之前，所述離子注入機束流均勻性的監控方法還包括：對所述晶圓進行濕法清洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
