[發(fā)明專利]一種高壓型直流回饋式電子負(fù)載控制系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711241597.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107884652A | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳磊;唐德平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥科威爾電源系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/00 | 分類號(hào): | G01R31/00 |
| 代理公司: | 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙)34115 | 代理人: | 婁岳,奚華保 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高壓 直流 回饋 電子負(fù)載 控制系統(tǒng) | ||
1.一種高壓型直流回饋式電子負(fù)載控制系統(tǒng),包括前級(jí)的直流斬波單元和后級(jí)的PWM同步整流單元,其特征在于,所述直流斬波單元包括依次串聯(lián)的兩個(gè)低壓型IGBT模塊,所述PWM同步整流單元包括在四個(gè)低壓型IGBT模塊的直流輸入兩端進(jìn)行跨電容連接的五電平逆變器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓型直流回饋式電子負(fù)載控制系統(tǒng),其特征在于,所述直流斬波單元包括:
第一低壓型IGBT模塊、第二低壓型IGBT模塊、第一母線電容Cd1、第二母線電容Cd2、第一輸出電感Lf1、第二輸出電感Lf2、輸出電容Cf和輸出負(fù)載RL,其中:
第一低壓型IGBT模塊包括串聯(lián)的第一開關(guān)管Q11和第二開關(guān)管Q12,第二低壓型IGBT模塊包括串聯(lián)的第三開關(guān)管Q21和第四開關(guān)管Q22,所述第一開關(guān)管Q11的第一端為所述直流斬波單元的第一輸入端,與直流電源Vbus的正端及第一母線電容Cd1的第一端相連,第一開關(guān)管Q11的第二端與第二開關(guān)管Q12的第一端相連,連接點(diǎn)與第一輸出電感Lf1的第一端相連;第二開關(guān)管Q12的第二端與第三開關(guān)管Q21的第一端相連,連接點(diǎn)與第一母線電容Cd1的第二端及第二母線電容Cd2的第一端相連;第三開關(guān)管Q21的第二端與第四開關(guān)管Q22的第一端相連,連接點(diǎn)與第二輸出電感Lf2的第一端相連;第四開關(guān)管Q22的第二端為所述直流斬波單元的第二輸入端,與直流電源Vbus的負(fù)端及第二母線電容Cd2的第二端相連;
第一輸出電感Lf1的第二端為所述直流斬波單元的第一輸出端,與輸出電容Cf的第一端及輸出負(fù)載RL的第一端相連;第二輸出電感Lf2的第二端為所述直流斬波單元的第二輸出端,與輸出電容Cf的第二端及輸出負(fù)載RL的第二端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓型直流回饋式電子負(fù)載控制系統(tǒng),其特征在于,所述第一開關(guān)管Q11和第三開關(guān)管Q21上連接有軟開關(guān)電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高壓型直流回饋式電子負(fù)載控制系統(tǒng),其特征在于,所述五電平逆變器包括三相逆變電路,其每一相逆變電路均包括依次串聯(lián)的第一低壓型IGBT模塊、第二低壓型IGBT模塊、第三低壓型IGBT模塊、第四低壓型IGBT模塊,其中第一低壓型IGBT模塊包括串聯(lián)的第一開關(guān)管Q11和第二開關(guān)管Q12,第二低壓型IGBT模塊包括串聯(lián)的第三開關(guān)管Q21和第四開關(guān)管Q22,第三低壓型IGBT模塊包括串聯(lián)的第五開關(guān)管Q31和第六開關(guān)管Q32,第四低壓型IGBT模塊包括串聯(lián)的第七開關(guān)管Q41和第八開關(guān)管Q42,其中:
第一開關(guān)管Q11的第一端為所述五電平逆變器的第一輸入端,第八開關(guān)管Q42的第二端為所述五電平逆變器的第二輸入端;
第四開關(guān)管Q22的第二端與第五開關(guān)管Q31的第一端相連,連接點(diǎn)為所述五電平逆變器的輸出端;
第二低壓型IGBT模塊中兩個(gè)開關(guān)管的連接點(diǎn)與第二低壓型IGBT模塊中兩個(gè)開關(guān)管的連接點(diǎn)之間連接有第一跨電容Cr1;
第一低壓型IGBT模塊和第二低壓型IGBT模塊的連接點(diǎn)與第三低壓型IGBT模塊和第四低壓型IGBT模塊的連接點(diǎn)之間串聯(lián)連接有第二跨電容Cr2和第三跨電容Cr3;
第一低壓型IGBT模塊中兩個(gè)開關(guān)管的連接點(diǎn)與第四低壓型IGBT模塊中兩個(gè)開關(guān)管的連接點(diǎn)之間串聯(lián)連接有第四跨電容Cr4、第五跨電容Cr5、第六跨電容Cr6。
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