[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201711241411.X
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108054177A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 王月;陳世杰;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圓，所述器件晶圓包括相對的第一器件面和第二器件面，所述第二器件面具有第一曲率；

提供承載晶圓，所述承載晶圓包括相對的第一承載面和第二承載面，所述第二承載面具有第二曲率，所述第二曲率與第一曲率不相等；

在所述第一承載面和/或所述第一器件面表面形成應力層，以減小所述第一曲率和第二曲率的差值；

通過所述第二器件面和第二承載面對所述承載晶圓和器件晶圓進行鍵合處理。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一曲率大于所述第二曲率；

第二器件面朝向第一器件面的方向凹陷，所述應力層中具有垂直于所述第二承載面的壓應力；或者，第二器件面向背離第一器件面的方向凸出，所述應力層中具有垂直于所述第二承載面的拉應力。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述鍵合處理之后，去除所述應力層。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述應力層的材料與所述承載晶圓的材料不相同。

5.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述應力層的工藝包括干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述應力層的材料為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、硅或硅鍺。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成應力層之后，所述應力層的厚度為295埃～305埃，所述第二器件面的曲率半徑為24μm～28μm，所述應力層中的應力為300MPa～360MPa。

8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當所述應力層中具有拉應力時，形成所述應力層的工藝包括次大氣壓化學氣相沉積工藝或高深寬比沉積工藝；

當所述應力層中具有壓應力時，形成所述應力層的工藝包括高密度等離子體化學氣相沉積工藝。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二曲率半徑與第一曲率半徑之差的絕對值小于或等于100。

10.一種半導體結構，其特征在于，包括：

器件晶圓，所述器件晶圓包括相對的第一器件面和第二器件面；

承載晶圓，所述承載晶圓包括相對的第一承載面和第二承載面，所述第二承載面與第二器件面貼合；

位于第一器件面或/和第一承載面表面的應力層，所述應力層中具有應力。