[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711241411.X
• 申請(qǐng)日: 2017-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108054177A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王月;陳世杰;黃曉櫓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L23/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圓，所述器件晶圓包括相對(duì)的第一器件面和第二器件面，所述第二器件面具有第一曲率；

提供承載晶圓，所述承載晶圓包括相對(duì)的第一承載面和第二承載面，所述第二承載面具有第二曲率，所述第二曲率與第一曲率不相等；

在所述第一承載面和/或所述第一器件面表面形成應(yīng)力層，以減小所述第一曲率和第二曲率的差值；

通過(guò)所述第二器件面和第二承載面對(duì)所述承載晶圓和器件晶圓進(jìn)行鍵合處理。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一曲率大于所述第二曲率；

第二器件面朝向第一器件面的方向凹陷，所述應(yīng)力層中具有垂直于所述第二承載面的壓應(yīng)力；或者，第二器件面向背離第一器件面的方向凸出，所述應(yīng)力層中具有垂直于所述第二承載面的拉應(yīng)力。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述鍵合處理之后，去除所述應(yīng)力層。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力層的材料與所述承載晶圓的材料不相同。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述應(yīng)力層的工藝包括干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力層的材料為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、硅或硅鍺。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成應(yīng)力層之后，所述應(yīng)力層的厚度為295埃～305埃，所述第二器件面的曲率半徑為24μm～28μm，所述應(yīng)力層中的應(yīng)力為300MPa～360MPa。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述應(yīng)力層中具有拉應(yīng)力時(shí)，形成所述應(yīng)力層的工藝包括次大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝或高深寬比沉積工藝；

當(dāng)所述應(yīng)力層中具有壓應(yīng)力時(shí)，形成所述應(yīng)力層的工藝包括高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二曲率半徑與第一曲率半徑之差的絕對(duì)值小于或等于100。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

器件晶圓，所述器件晶圓包括相對(duì)的第一器件面和第二器件面；

承載晶圓，所述承載晶圓包括相對(duì)的第一承載面和第二承載面，所述第二承載面與第二器件面貼合；

位于第一器件面或/和第一承載面表面的應(yīng)力層，所述應(yīng)力層中具有應(yīng)力。