[發(fā)明專利]低噪聲放大器、射頻集成電路、信號接收模塊及射頻收發(fā)芯片

在審

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• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN107809220A
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃志敏;鄧兆基
• 申請（專利權(quán)）人: 建榮半導(dǎo)體（深圳）有限公司;建榮集成電路科技（珠海）有限公司;珠海煌榮集成電路科技有限公司
• 主分類號: H03F3/19
• 分類號: H03F3/19;H03F3/24;H03G3/30
• 代理公司: 深圳市華騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44370
• 代理人: 彭年才

1.一種低噪聲放大器，包括信號放大模塊（1），所述信號放大模塊（1）包括電容、第一電壓源以及第二電壓源，其特征在于，還包括第一放大器、第二放大器以及電阻負(fù)載，所述電容的第一端作為所述低噪聲放大器的輸入端，所述電容的第二端連接所述第一放大器的第一輸入端，所述第一放大器的第二輸入端連接所述第二放大器的第一輸出端，所述第一放大器的第一輸出端接地，所述第二放大器的第一輸入端連接所述第一電壓源，所述第二放大器的第二輸入端連接所述電阻負(fù)載的第一端，所述電阻負(fù)載的第二端連接所述第二電壓源，所述低噪聲放大器的輸出端設(shè)置于所述電阻負(fù)載與所述第二放大器的第二輸入端之間。

2.如權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一放大器為共源放大器，所述第二放大器為共柵放大器。

3.如權(quán)利要求2所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一放大器為第一CMOS管，所述第二放大器為第二CMOS管，所述第一CMOS管的柵極作為所述第一放大器的第一輸入端，所述第一CMOS管的漏極作為所述第一放大器的第二輸入端，所述第一CMOS管的源極作為所述第一放大器的第一輸出端，所述第二CMOS管的柵極作為所述第二放大器的第一輸入端，所述第二CMOS管的漏極作為所述第二放大器的第二輸入端，所述第二CMOS管的源極作為所述第二放大器的第一輸出端。

4.如權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述電阻負(fù)載的大小在100Ω~1000Ω之間。

5.如權(quán)利要求1或3所述的低噪聲放大器，其特征在于，還包括增益調(diào)節(jié)模塊（2），所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）包括第一開關(guān)、第二開關(guān)，所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第一信號傳輸端連接所述第一開關(guān)的第一端，所述第一開關(guān)的第二端連接所述第一電壓源，所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第二信號傳輸端連接所述第二開關(guān)的第一端，所述第二開關(guān)的第二端接地，所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第三信號傳輸端連接所述第二電壓源，所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第四信號傳輸端連接所述第一放大器的第二輸入端。

6.如權(quán)利要求5所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）還包括第三CMOS管，所述第三CMOS管的柵極作為所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第一信號傳輸端或所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第二信號傳輸端，所述第三CMOS管的漏極作為所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第三信號傳輸端，所述第三CMOS管的源極作為所述增益調(diào)節(jié)模塊（2）的第四信號傳輸端。

7.如權(quán)利要求5所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一開關(guān)與第二開關(guān)互斥。

8.一種包括如權(quán)利要求1~7任意一項所述的低噪聲放大器的射頻集成電路。

9.一種包括如權(quán)利要求1~7任意一項所述的低噪聲放大器的信號接收模塊（3）。

10.一種包括如權(quán)利要求9所述的信號接收模塊（3）的射頻收發(fā)芯片，其特征在于，包括頻率合成器（4）、頻率緩沖器、天線開關(guān)（5）以及信號發(fā)射模塊（6）。