[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 201711240829.9 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN108206149B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 安田周一;巖尾通矩;菊本憲幸;佐佐木光敏 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;B01F3/04;B01F5/04 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,用于向基板供給處理液來對所述基板進行處理,其具備:
基板保持部,保持基板;
噴出噴嘴,向所述基板保持部保持的所述基板噴出所述處理液;
貯存槽,在內部貯存所述處理液;
供給配管部,與所述貯存槽連接,形成使向所述噴出噴嘴供給的所述處理液通過的供給通路;
返回配管部,與所述貯存槽連接,形成使通過了所述供給配管部的所述處理液返回所述貯存槽的返回通路;以及
氣體供給部,向所述返回配管部的所述返回通路內供給與在所述處理液中溶解的去除對象氣體不同的添加氣體,
所述氣體供給部形成有噴出所述添加氣體的噴出口,該噴出口位于所述返回配管部的所述返回通路,
在所述返回通路內,所述噴出口向與朝向所述貯存槽的方向相反的一側開口。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
通過使所述返回配管部與所述供給配管部連結,所述供給配管部和所述返回配管部形成使從所述貯存槽流出的所述處理液返回所述貯存槽的循環配管。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
在所述貯存槽內,所述供給配管部的吸引口配置于比所述返回配管部的放出口更低的位置。
4.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
在所述貯存槽內,所述返回配管部的放出口向與鉛垂方向交叉的方向開口。
5.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
還具備間隔構件,所述間隔構件在所述貯存槽內配置于所述供給配管部的吸引口和所述返回配管部的放出口之間,所述間隔構件的上端配置于比所述吸引口和所述放出口中的至少一方更高的位置。
6.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
還具備管道混合器,所述管道混合器配置于所述返回配管部上的從連接有所述氣體供給部的部分到所述貯存槽之間的位置,攪拌所述返回通路內的所述處理液。
7.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
還具備貯存槽用氣體供給部,向所述貯存槽內的所述處理液中供給所述添加氣體,
所述貯存槽用氣體供給部具備氣體噴出部,
所述氣體噴出部與所述貯存槽連接,向貯存于所述貯存槽的所述處理液中噴出所述添加氣體。
8.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述去除對象氣體是氧氣,并且,所述添加氣體是對于所述基板非活性的氣體。
9.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
在所述供給配管部上安裝有輸送所述處理液的泵、調整所述處理液的溫度的溫度調整機構、過濾所述處理液的過濾器、以及測量所述處理液的流量的流量計中的至少一個。
10.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
還具備流量控制部,控制流經所述返回配管部的所述處理液的每單位時間的流量。
11.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
還具備氣體供給量控制部,控制所述氣體供給部供給的所述添加氣體的每單位時間的供給量。
12.一種基板處理方法,用于使用基板處理裝置對基板進行處理,其包括:
(a)工序,向與噴出噴嘴連接的供給配管部吸引貯存于貯存槽的處理液,所述噴出噴嘴向所述基板噴出所述處理液;
(b)工序,使流經所述供給配管部后的所述處理液,經返回配管部返回所述貯存槽;以及
(c)工序,向流經所述返回配管部的所述處理液中供給與在所述處理液中溶解的去除對象氣體不同的添加氣體,
所述(c)工序包括從噴出口噴出所述添加氣體的工序,所述噴出口在所述返回配管部的返回通路內,向與朝向所述貯存槽的方向相反的一側開口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





