[發明專利]陣列基板及其制造方法及顯示屏有效
| 申請號: | 201711239642.7 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN109860202B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 李威龍;朱暉;馬宏帥;張九占;張露;韓珍珍;胡思明 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示屏 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括顯示區、以及位于所述顯示區外側的非顯示區;
所述非顯示區包括:
外圍金屬走線層,包括若干外圍金屬走線;
應力吸收框,圍繞在所述外圍金屬走線外;所述應力吸收框的底邊由位于所述外圍金屬走線層下方的金屬層或非晶硅層構成;所述應力吸收框的蓋邊由位于所述外圍金屬走線層上方的金屬層構成;所述應力吸收框的側邊由位于構成所述底邊的金屬層或非晶硅層上方的金屬層構成;
無機膜層,所述無機膜層間隔開所述外圍金屬走線和所述應力吸收框。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述應力吸收框的截面呈矩形。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述應力吸收框的底邊由位于所述外圍金屬走線層下方的金屬層或非晶硅層中至少兩層構成;
或所述應力吸收框的蓋邊由位于所述外圍金屬走線層上方的至少兩層金屬層構成;
或所述應力吸收框的側邊包括外側邊和至少一個內側邊,所述外側邊和內側邊均由位于構成所述底邊的金屬層或非晶硅層上方的金屬層構成。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述應力吸收框的截面呈目型或橫置的目型。
5.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述應力吸收框的截面呈回型。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述外圍金屬走線的截面呈框狀;所述外圍金屬走線由至少兩層金屬層構成。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述外圍金屬走線的截面呈矩形。
8.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述外圍金屬走線包括第一金屬走線、第二金屬走線和第三金屬走線;所述外圍金屬走線由三層金屬層構成;三層金屬層分別構成所述外圍金屬走線的第一金屬走線、第二金屬走線和第三金屬走線。
9.一種顯示屏,其特征在于,包括權利要求1至8任一項所述的陣列基板。
10.一種權利要求1所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述陣列基板的非顯示區的制造方法包括:
S1、形成所述應力吸收框的底邊;
S2、在步驟S1之后形成所述外圍金屬走線層;
S3、在步驟S2之后形成所述應力吸收框的蓋邊;
Sx、形成所述應力吸收框的側邊;所述應力吸收框的側邊通過挖孔與所述應力吸收框的底邊接觸連接;
所述步驟Sx在步驟S1之后且在步驟S3之前進行;或所述步驟Sx與步驟S3同時進行。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于云谷(固安)科技有限公司,未經云谷(固安)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711239642.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





