[發明專利]生成可變換參數的晶體管的方法在審
| 申請號： | 201711238526.3 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN107967391A | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發明（設計）人： | 鄒志博 | 申請（專利權）人： | 上海安路信息科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海一平知識產權代理有限公司31266 | 代理人： | 成春榮,竺云 |
| 地址： | 200437 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生成 變換 參數 晶體管 方法 | ||
1.一種生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，包括以下步驟：
定義需要修改的參數，根據工藝設計規則對每一定義的參數進行編程，生成一個程序腳本文件；
將所述程序腳本文件加載到電子設計自動化工具的主控窗口；
創建程序腳本文件中指定的庫，在所述主控窗口內運行程序腳本文件以生成晶體管。
2.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，同時修改多個所述參數。
3.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述需要修改的參數包括晶體管數量。
4.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述需要修改的參數包括晶體管的寬長比、長、寬、和/或多晶硅間的間距。
5.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述定義需要修改的參數包括有源區定義為active、多晶硅定義為poly。
6.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述定義需要修改的參數包括注入層定義為implant。
7.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述工藝設計規則是DRC rule。
8.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述程序腳本文件是Skill語言。
9.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述對每一個定義的參數進行編程，包括注入層距有源區的距離、多晶硅在垂直方向相對有源區的延長距離、有源區距多晶硅的距離。
10.根據權利要求1所述的生成可變參數晶體管的方法，其特征在于，所述電子設計自動化工具是Cadence。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海安路信息科技有限公司，未經上海安路信息科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711238526.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
