[發(fā)明專利]一種芯片降溫裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711238370.9 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN107993995A | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬長偉;馬文英;汪為民 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都信息工程大學(xué) |
| 主分類號： | H01L23/373 | 分類號： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司51214 | 代理人： | 項霞 |
| 地址： | 610225 四川省成都市雙*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 降溫 裝置 | ||
1.一種芯片降溫裝置，其特征在于，包括載板、支架、吸波結(jié)構(gòu)和散熱片，待散熱的芯片位于載板上；
支架安裝在載板上，吸波結(jié)構(gòu)放置于所述支架上，且位于芯片上方；
所述吸波結(jié)構(gòu)分為三層，從上到下分別是金屬薄膜、電介質(zhì)層、金屬諧振單元；所述金屬薄膜的厚度大于電流密度從薄膜表面向內(nèi)減小到表面電流密度為1/e的深度；
所述散熱片設(shè)置于吸波結(jié)構(gòu)上。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片降溫裝置，其特征在于，所述吸波結(jié)構(gòu)由若干個吸波子單元組成，各個吸波子單元的電介質(zhì)層、金屬諧振單元互不接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片降溫裝置，其特征在于，不同的吸波子單元有著不同的諧振頻率。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片降溫裝置，其特征在于，所述支架為幾個金屬柱組成，吸波結(jié)構(gòu)安放在金屬柱頂端。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片降溫裝置，其特征在于，還包括硅脂涂層，所述硅脂涂層覆蓋于芯片上。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片降溫裝置，其特征在于，所述散熱片為金屬片。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片降溫裝置，其特征在于，所述散熱片為一個具有內(nèi)腔的封閉容器，內(nèi)腔內(nèi)裝水。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都信息工程大學(xué)，未經(jīng)成都信息工程大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711238370.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
