[發(fā)明專利]用于電力電子開(kāi)關(guān)裝置的壓力裝置、開(kāi)關(guān)裝置及其布置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711238191.5
• 申請(qǐng)日: 2017-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108122864A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·雷德勒;R·波普
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/16;H01L25/07;H01L23/00
• 代理公司: 北京易捷勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11613
• 代理人: 韓國(guó)勝

1.一種用于電力電子開(kāi)關(guān)裝置(1)的壓力裝置(5)，其包括主體(50)，所述主體(50)具有用于壓力本體(52)的多個(gè)容器裝置(500)，其中，各壓力本體(52)實(shí)現(xiàn)為具有第一剛性部分本體(54)和第二彈簧彈性部分本體(56)，其中，所述壓力本體(52)通過(guò)可逆連接布置在所述主體(50)的所述容器裝置(500)中，并且各第二部分本體(56)在遠(yuǎn)離所述主體(50)的方向從所分配的所述第一部分本體(54)伸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力裝置，其中

所述可逆連接以強(qiáng)制鎖定方式或主動(dòng)鎖定方式實(shí)現(xiàn)，特別實(shí)現(xiàn)為卡鎖連接(502、542)或?qū)崿F(xiàn)為夾持連接。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的壓力裝置，其中

第一部分本體(52)的不同的實(shí)施方式具有不同的高度(580、582)。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的壓力裝置，其中

所述第一部分本體(54)包括耐高溫塑料，優(yōu)選為熱塑性塑料，特別是聚苯硫醚，并且所述第二部分本體(56)包括彈性體，優(yōu)選為硅樹(shù)脂彈性體，特別是交聯(lián)液體硅樹(shù)脂。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓力裝置，其中

所述第二部分本體(56)部分地布置在所述第一部分本體(54)的切口中，并且從所述切口伸出，所述第二部分本體(56)特別是墊狀方式。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的壓力裝置，其中

所述主體(50)實(shí)現(xiàn)為功率半導(dǎo)體模塊的殼體或殼體的一部分。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的壓力裝置，其中

在各種情況中，所述主體(50)的多個(gè)容器裝置(500)以n×m矩陣形式的矩陣狀方式布置，并且在該實(shí)例中，所述容器裝置(500)優(yōu)選彼此等距間隔開(kāi)。

8.一種電力電子開(kāi)關(guān)裝置(1)，其包括基底(2)、包括連接裝置(3)、以及包括根據(jù)前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求的壓力裝置(5)，

其中，所述基底具有彼此電絕緣的導(dǎo)體跡線(22)，并且功率半導(dǎo)體部件(7)以其自身主要區(qū)域(70)布置在一個(gè)所述導(dǎo)體跡線(22)上，并且導(dǎo)電地與其連接，

其中，通過(guò)一個(gè)所述第二部分本體(56)的壓力區(qū)域(560)，所述壓力裝置(5)壓在所述連接裝置(3)的第一區(qū)域部分(360)上，所述第一區(qū)域部分面對(duì)所述壓力裝置，其中，所述第一區(qū)域部分(360)布置成與所述功率半導(dǎo)體部件(7)的第一主要區(qū)域(70)的表面(760)在所述基底(2)的法線(N)方向上對(duì)準(zhǔn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的開(kāi)關(guān)裝置，其中

所述連接裝置(3)實(shí)現(xiàn)為膜復(fù)合物，所述膜復(fù)合物包括導(dǎo)電膜(30、34)和電絕緣膜(32)，其中，所述開(kāi)關(guān)裝置通過(guò)所述連接裝置(3)以符合電路的方式內(nèi)部地連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的開(kāi)關(guān)裝置，其中

所述第二部分本體(56)的壓力區(qū)域(560)在所述基底(2)的法線(N)的方向投影在完全位于所述功率半導(dǎo)體部件(7)的表面(760)內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任意一項(xiàng)所述的開(kāi)關(guān)裝置，其中

通過(guò)一個(gè)所述第二部分本體(56)的另一壓力區(qū)域(562)，所述壓力裝置(5)壓在所述連接裝置(3)的第二區(qū)域部分(362)上，所述第二區(qū)域部分面對(duì)所述壓力裝置(5)，其中，所述第二區(qū)域部分(362)布置成在所述基底(2)的法線(N)的方向投影在所有所述功率半導(dǎo)體部件(7)的表面(760)的外側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的開(kāi)關(guān)裝置，其中

所述第一區(qū)域部分(360)的表面區(qū)域?yàn)樗峙涞墓β拾雽?dǎo)體件(7)的表面(760)的表面區(qū)域的至少25％，特別是至少50％。