[發(fā)明專利]一種高能量密度的電極材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711237497.9 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108010741B | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 麻季冬;朱君秋;連志翔;張棟興;吳杭健;張厚安 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門理工學(xué)院 |
| 主分類號： | H01G11/30 | 分類號： | H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 廈門智慧呈睿知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 郭福利;魏思凡 |
| 地址： | 361024 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高能量 密度 電極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種高能量密度的電極材料，其特征在于，包括金屬基體和形成于所述金屬基體表面的復(fù)合金屬氧化物涂層，所述復(fù)合金屬氧化物涂層包括SnO2、Co3O4和RuO2，其中，Sn、Co和Ru的摩爾比為1～4:2～5:4；按照以下步驟制備：
S1，對所述金屬基體進(jìn)行表面刻蝕處理；
S2，分別配置得到Sn、Co和Ru的金屬鹽溶液，然后按照Sn、Co和Ru的摩爾比將Sn、Co和Ru的金屬鹽溶液混合溶解于乙醇中，得到復(fù)合金屬鹽溶液；
S3，將所述復(fù)合金屬鹽溶液涂覆在經(jīng)表面刻蝕處理的所述金屬基體表面，烘干固化后，在280-300℃條件下熱氧化處理20～50min；
其中，在步驟S1之后，步驟S3之前，還包括在所述金屬基體表面形成SnO2-RuO2復(fù)合層的步驟：
配置得到Sn、Ru的摩爾比為3～5:1的Sn-Ru前驅(qū)體溶液：將鹽酸多巴胺按0.5～1.5g/L的濃度加入到pH為8～8.5的Tris緩沖液中，攪拌8～10h，然后在攪拌條件下加入SnCl2和RuCl3，超聲20～30min得到；
將所述Sn-Ru前驅(qū)體溶液涂覆在所述金屬基體表面，烘干固化后，在160～220℃條件下熱氧化處理50～80min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能量密度的電極材料，其特征在于，所述復(fù)合金屬氧化物涂層中，Sn、Co和Ru的摩爾比為3:3:4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能量密度的電極材料，其特征在于，所述金屬基體選自鈦、鉭、鉑、不銹鋼中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能量密度的電極材料，其特征在于，所述復(fù)合金屬氧化物涂層和所述金屬基體中間還涂覆有SnO2-RuO2復(fù)合層。
5.一種如權(quán)利要求1所述的高能量密度的電極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，對所述金屬基體進(jìn)行表面刻蝕處理；
S2，分別配置得到Sn、Co和Ru的金屬鹽溶液，然后按照Sn、Co和Ru的摩爾比將Sn、Co和Ru的金屬鹽溶液混合溶解于乙醇中，得到復(fù)合金屬鹽溶液；
S3，將所述復(fù)合金屬鹽溶液涂覆在經(jīng)表面刻蝕處理的所述金屬基體表面，烘干固化后，在280-300℃條件下熱氧化處理20～50min；
其中，在步驟S1之后，步驟S3之前，還包括在所述金屬基體表面形成SnO2-RuO2復(fù)合層的步驟：
配置得到Sn、Ru的摩爾比為3～5:1的Sn-Ru前驅(qū)體溶液：將鹽酸多巴胺按0.5～1.5g/L的濃度加入到pH為8～8.5的Tris緩沖液中，攪拌8～10h，然后在攪拌條件下加入SnCl2和RuCl3，超聲20～30min得到；
將所述Sn-Ru前驅(qū)體溶液涂覆在所述金屬基體表面，烘干固化后，在160～220℃條件下熱氧化處理50～80min。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述金屬基體的表面刻蝕處理步驟包括：將所述金屬基體置于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8～15％的草酸溶液中，處理1～4h，清洗、干燥。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述復(fù)合金屬鹽溶液中，金屬離子的總濃度為0.3～0.5mol/L。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述Sn-Ru前驅(qū)體溶液中，Sn離子和Ru離子的總濃度為0.1～0.2mol/L。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門理工學(xué)院，未經(jīng)廈門理工學(xué)院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711237497.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
