[發明專利]提高注入機生產效率的方法

有效

• 申請號: 201711237469.7
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN107993931B
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 葉鋒;袁立軍
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/67
• 代理公司: 31211 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭四華<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種提高注入機生產效率的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、根據單次注入時間的要求來調節注入機的注入束流，所述單次注入時間為注入機對晶圓的單次注入區進行所需注入劑量的注入時間，所述單次注入時間和注入束流的積和所述注入劑量成正比，通過增加所述注入束流的大小降低所述單次注入時間；

步驟二、所述注入機通過對所述晶圓進行不同區域的掃描并在各掃描區域進行離子注入實現對所述晶圓的全片注入，根據減少總體掃描時間的要求來調節所述注入束流；所述注入束流越大，所述注入束流對光刻膠的碰撞而產生的水汽也越多，水汽的增加會使所述注入機的注入腔體的壓強增加，當所述注入腔體的壓強增加到一個上限值時，離子注入會停止，所述注入束流的大小要求設置到保證在整個注入掃描過程中所述注入腔體的壓強都小于上限值，從而不會產生離子注入停止，減少所述總體掃描時間；

步驟二中，需要根據所述光刻膠的開口率的大小調節所述注入束流，所述光刻膠的開口率越小，被所述注入束流碰撞所產生的水汽也越多，所述注入束流的值越小；或者，步驟二中，需要根據所述光刻膠的厚度的大小調節所述注入束流，所述光刻膠的厚度越厚，被所述注入束流碰撞所產生的水汽也越多，所述注入束流的值越小。

2.如權利要求1所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：在步驟二中所述注入束流的大小滿足保證在整個注入掃描過程中不會產生離子注入停止的條件下，所述注入束流根據步驟一進行設置的值越大，所述晶圓完成整片注入的時間越短。

3.如權利要求1所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：各種不同的產品共用同一個離子注入工藝參數，在步驟二中所述注入束流根據設置條件最差的產品進行設置。

4.如權利要求3所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：所述產品對應的光刻膠的開口率越小，步驟二中對應的所述注入束流的設置條件越差。

5.如權利要求3所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：所述產品對應的光刻膠的厚度越厚，步驟二中對應的所述注入束流的設置條件越差。

6.如權利要求1所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：離子注入的注入能量大于1000Kev。

7.如權利要求1或4所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：所述光刻膠的開口率最小值達3％以下。

8.如權利要求3所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：隨著產品的提升，所述注入束流的設置條件越來越差，通過按比例縮小的方式減少所述注入束流的最大值。

9.如權利要求8所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：所述注入束流的最大值按8％～15％的比例降低。

10.如權利要求9所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：所述注入束流的最大值按10％的比例降低。

11.如權利要求9所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：所述注入束流的最大值按12％的比例降低。

12.如權利要求1所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：離子注入的類型包括超淺結注入、袋狀結構注入、環形結構注入、溝道注入、高精度的側壁注入和像素區域等對離子注入。

13.如權利要求1所述的提高注入機生產效率的方法，其特征在于：所述晶圓為硅襯底晶圓。