[發明專利]硅鍺基光學濾波器有效
| 申請號: | 201711236808.X | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN108121026B | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發明(設計)人: | G.J.奧肯福斯 | 申請(專利權)人: | 唯亞威通訊技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/28 | 分類號: | G02B5/28 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 張瑞;楊明釗 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅鍺基 光學 濾波器 | ||
1.一種光學濾波器,所述光學濾波器用于對輸入光學信號濾波并且提供濾波后的輸入光學信號,
所述輸入光學信號包含來自所述光學發射器的近紅外NIR光和來自光源的環境光,
所述濾波后的輸入光學信號包含相對于所述輸入光學信號降低強度的環境光;以及
所述濾波后的輸入光學信號被提供輸出電信號的光學接收器接收;
所述光學濾波器包括:
基底;
布置在所述基底上的一組介電薄膜光學濾波器層,
該組光學濾波器層包含:
光學濾波器層的第一子集,
所述光學濾波器層的第一子集包括具有第一折射率的硅鍺(SiGe);以及
光學濾波器層的第二子集,
所述光學濾波器層的第二子集包括具有第二折射率的材料,
所述第二折射率小于所述第一折射率。
2.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述材料包括以下中的至少一種:
二氧化硅(SiO2)材料,
三氧化二鋁(Al2O3)材料,
二氧化鈦(TiO2)材料,
五氧化二鈮(Nb2O5)材料,
五氧化二鉭(Ta2O5)材料,
二氟化鎂(MgF2)材料,
二氧化鋯(ZrO2)材料,
三氧化二釔(Y2O3)材料,
四氮化三硅(S3N4),
硼基材料,或
磷基材料。
3.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述光學濾波器層的第一子集是高折射率材料層(H),并且所述光學濾波器層的第二子集是低折射率材料層(L);以及
其中該組光學濾波器層按以下順序中的至少一種布置:
(H-L)m順序,
(H-L)m-H順序,或
L-(H-L)m順序,
其中m是交替的H層和L層的數量。
4.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述第一折射率在800納米(nm)至1100nm的光譜范圍內大于3。
5.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述第一折射率在800納米(nm)至1100nm的光譜范圍內大于3.5。
6.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述第一折射率在900納米(nm)至1100nm的波長下為4。
7.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述第一折射率在1400納米(nm)至1700nm的光譜范圍內大于3。
8.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述第一折射率在1500納米(nm)至1600nm的光譜范圍內大于3.4。
9.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述第一折射率在1500納米(nm)至1600nm的光譜范圍內大于3.6。
10.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述光學濾波器層的第一子集是退火的。
11.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述光學濾波器層的第一子集是氫化的。
12.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述光學濾波器層的第一子集是氮化的。
13.根據權利要求1所述的光學濾波器,其中所述光學濾波器層的第一子集包含5%和100%之間的鍺。
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