[發(fā)明專利]陣列基板及液晶顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711235998.3 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN108020970A | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳帥 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 液晶顯示 面板 | ||
本發(fā)明提供一種陣列基板,所述陣列基板至少包括:兩條所述數(shù)據(jù)線與兩條所述掃描線垂直交錯而圍合形成一像素單元;設(shè)置在像素單元內(nèi)的像素電極;其中,像素單元的中線平行于數(shù)據(jù)線,像素電極相對中線為非對稱設(shè)置;有益效果為:本發(fā)明提供的液晶顯示面板,使用數(shù)據(jù)線的耦合作用去影響像素電極的電壓值,且相鄰兩數(shù)據(jù)線與像素電極間形成的寄生電容值不相互抵消,從而起到對像素電極電位的拉扯作用,保持不同區(qū)域的像素電極的電壓值與預(yù)設(shè)值保持接近,減少垂直串?dāng)_,進(jìn)而實現(xiàn)液晶顯示面板畫面亮度均勻。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。
背景技術(shù)
在當(dāng)今信息社會,薄膜晶體管LCD顯示器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于我們生活的各個方面,從小尺寸的手機(jī)、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī),中尺寸的筆記本電腦、臺式機(jī),大尺寸的家用電視到大型投影設(shè)備等,薄膜晶體管LCD在輕、薄優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,加上完美的畫面及快速的響應(yīng)特性,確保其在顯示器市場上獨占鰲頭。
在主動矩陣式LCD中,每個像素都具有至少一個薄膜晶體管(薄膜晶體管),其柵極連接至水平方向的掃描線,源極連接至垂直方向的數(shù)據(jù)線,而漏極則連接至像素電極。
在水平方向的同一條掃描線上,所有薄膜晶體管的柵極都連接在一起,所以施加的電壓是連動的,若某一條掃描線上施加足夠大的正電壓,則這條掃描線上所有極性的薄膜晶體管皆會被打開,此時該條掃描線上的像素電極,會與垂直方向的數(shù)據(jù)線連接,而經(jīng)由垂直數(shù)據(jù)線送入對應(yīng)的視頻信號,以將像素電極充電至適當(dāng)?shù)碾妷海又┘幼銐虼蟮呢?fù)電壓,關(guān)閉薄膜晶體管,直到下次再重新寫入信號,其間使得電荷保存在液晶電容上。此時再啟動次一條水平掃描線,送入其對應(yīng)的視頻信號。如此依序?qū)⒄麄€畫面的視頻數(shù)據(jù)寫入,再自第一條重新寫入信號(一般此重復(fù)的頻率為60~70Hz)。
液晶面板的驅(qū)動電壓通常要采用極性反轉(zhuǎn)的方式加以驅(qū)動,如幀反轉(zhuǎn)、行反轉(zhuǎn)、列反轉(zhuǎn)和點反轉(zhuǎn);其中,列反轉(zhuǎn)是指在一幀中,相鄰列的數(shù)據(jù)電壓的極性相對于公共電極的電壓的極性是相反的。
使用列反轉(zhuǎn)方式的液晶顯示面板,在驅(qū)動時,一幀畫面中,掃描線的開啟順序為由上自下依次開啟,掃描線處于高電位時該掃描線所連接的薄膜晶體管開啟,其他掃描線所連接的薄膜晶體管則處于低電位,薄膜晶體管為關(guān)態(tài),由于薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流I
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板,能夠抵消薄膜晶體管向相對正電極電位漏電帶來的顯示亮度不均勻的現(xiàn)象,以減少垂直串?dāng)_現(xiàn)象對現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板所帶來的影響。
為解決上述問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提供一種陣列基板,所述陣列基板包括:
薄膜晶體管,包括柵極、漏極和源極;
掃描線;所述掃描線連接所述薄膜晶體管的柵極;
數(shù)據(jù)線;所述數(shù)據(jù)線連接所述薄膜晶體管的源極或漏極;所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線圍合形成多個像素單元;
像素電極,位于所述像素單元內(nèi),并電連接所述薄膜晶體管;
所述數(shù)據(jù)線包括位于所述像素電極一側(cè)的第一數(shù)據(jù)線、以及位于所述像素電極相對另一側(cè)的第二數(shù)據(jù)線;所述第一數(shù)據(jù)線與所述像素電極之間形成第一寄生電容,所述第二數(shù)據(jù)線與所述像素電極之間形成第二寄生電容;
其中,所述第一寄生電容的電容值與所述第二寄生電容的電容值不相等。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述像素電極和所述第一數(shù)據(jù)線的間距,與所述像素電極和所述第二數(shù)據(jù)線的間距不相等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711235998.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





