[發明專利]一種質點振速測量敏感結構及制備方法有效
| 申請號： | 201711235976.7 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108069385B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 劉云飛;周瑜;馮杰 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第三研究所 |
| 主分類號： | B81B3/00 | 分類號： | B81B3/00;B81C1/00;G01H11/06 |
| 代理公司： | 北京天盾知識產權代理有限公司 11421 | 代理人： | 韓金明 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 橋孔 兩端部位 敏感結構 第二電極 第三電極 第一電極 質點振速 制備 測量 熱傳導效應 熱傳遞路徑 有效截面積 平行設置 特有結構 響應特性 有效抑制 低頻段 硅襯底 矩形狀 熱傳導 彎曲狀 微間距 減小 平直 | ||
1.一種質點振速測量敏感結構，硅襯底上形成有橋孔，橋孔的一側上設有第一電極，橋孔的另一側上設有第二電極、第三電極，橋孔上方設有第一薄絲、第二薄絲，第一薄絲、第二薄絲平行設置且保持微間距，兩個薄絲的一端均與第一電極連接，兩個薄絲的另一端分別與第二電極、第三電極連接，其特征在于：
第一薄絲、第二薄絲的結構均為，薄絲的兩端部位呈彎曲狀，薄絲的中間部位呈平直的矩形狀；薄絲中間部位的寬度、厚度大于薄絲兩端部位的寬度、厚度。
2.根據權利要求1所述的質點振速測量敏感結構，其特征在于：薄絲的兩端部位呈S形狀或呈“幾”字形狀。
3.根據權利要求2所述的質點振速測量敏感結構，其特征在于：薄絲中間部位的薄絲寬度為1μm—2μm，厚度為0.1μm—0.3μm。
4.根據權利要求3所述的質點振速測量敏感結構，其特征在于：薄絲兩端部位的薄絲寬度為0.2μm—0.8μm，厚度為0.02μm—0.08μm。
5.根據權利要求4所述的質點振速測量敏感結構，其特征在于：薄絲兩端部位的S形狀或“幾”字形狀的整體寬度大于3μm。
6.根據權利要求1—5任何一項所述的質點振速測量敏感結構，其特征在于：第一薄絲和第二薄絲之間設有1根或多根薄絲，所說1根或多根薄絲與第一薄絲、第二薄絲平行設置，結構與第一薄絲、第二薄絲相同。
7.一種權利要求1所述質點振速測量敏感結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：在硅襯底上依次沉積絕熱層和支撐層，其中，絕熱層位于支撐層的下方；
步驟2：進行第一次涂膠、光刻和顯影，定義出質點振速測量敏感結構的第一電極、第二電極、第三電極和第一敏感層,第一敏感層即薄絲的兩端部位；
步驟3：依次蒸發淀積黏附層和第一敏感層，其中，黏附層位于第一敏感層的下方；
步驟4：剝離光刻膠，形成相應的敏感結構；
步驟5：進行第二次涂膠、光刻和顯影，定義出質點振速測量敏感結構的第二敏感層,第二敏感層即薄絲的中間部位；
步驟6：蒸發淀積第二敏感層，剝離光刻膠，形成相應的敏感結構；
步驟7：進行第三次涂膠、光刻和顯影，定義質點振速測量敏感結構的橋孔結構；
步驟8：進行干法刻蝕，刻蝕去掉未被光刻膠覆蓋的支撐層和絕熱層；
步驟9：對硅襯底進行異性濕法腐蝕，形成橋孔結構；
步驟10：進行劃片、引線鍵合及封裝，得到成品。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：步驟6中，對第二敏感層采用高溫退火工藝進行熱處理。
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