[發(fā)明專利]小樣品的去層方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711234859.9 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108020774B | 公開（公告）日： | 2020-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊領(lǐng)葉 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 樣品 方法 | ||
1.一種小樣品的去層方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、制作一底座芯片；
步驟2、根據(jù)研磨樣品尺寸、形狀制作反應(yīng)離子刻蝕的阻擋層；
步驟3、將阻擋層根據(jù)研磨樣品尺寸、形狀粘結(jié)在所述底座芯片上；
步驟4、在步驟3已經(jīng)制成的產(chǎn)品上制作能嵌入研磨樣品的模具；
步驟5、加熱去除阻擋層；
步驟6、將研磨樣品嵌入模具中；
步驟7、手動研磨樣品正面至目標(biāo)位置。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1所述底座芯片是截取一個長寬為0.8cm～1.2cm的廢芯片，用作底座芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2所述阻擋層采用厚度高于樣品厚度的廢硅片制作。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：實施步驟3時，采用熱熔膠將所述阻擋層粘結(jié)在底座芯片上。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：實施步驟4時，利用反應(yīng)離子刻蝕，選擇刻蝕硅的條件，形成一個貫通所述阻擋層且延伸進(jìn)底座芯片的孔；同時根據(jù)樣品的厚度設(shè)定刻蝕時間，刻蝕出的孔深度要大于樣品的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：實施步驟6時，采用熱熔膠將研磨樣品嵌入粘結(jié)在模具中。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述小樣品即小尺寸樣品，是指樣品的尺寸長寬小于3mm*3mm，其中“*”表示乘號。
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