[發明專利]非同層雙偏心圓太赫茲波吸收器在審
| 申請號： | 201711232403.9 | 申請日： | 2017-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN107994348A | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發明（設計）人： | 李九生 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 偏心 赫茲 吸收 | ||
1.一種非同層雙偏心圓太赫茲波吸收器，它包括兩個耦合銅環、聚酰亞胺材料層以及介質平板；吸收器結構由上至下依次為上耦合銅環(5)、聚酰亞胺耦合層(4)、下耦合銅環與聚酰亞胺材料結合層(3)、聚酰亞胺層(2)、介質平板(1)；上下兩個銅環為非同心環，通過聚酰亞胺耦合層(4)緊密耦合，形成頻率選擇表面，頻率選擇表面放置在介質平板(1)上層的聚酰亞胺(2)上；太赫茲信號從吸收器上方垂直輸入，由于兩個耦合銅環的圓心不在一條直線上，具有一定的相差距離，所以這種非中心對稱結構破壞了頻率選擇表面的反射對稱性，導致了環與介質平板(1)之間產生一種獨特的相互作用，從而實現對對太赫茲波的吸收。
2.根據權利要求1所述的一種非同層雙偏心圓太赫茲波吸收器，其特征在于所述的上耦合銅環(5)的圓心位于吸收器的幾何中心縱軸上，其外半徑R1o為42μm，內半徑R1i為39μm，厚度為0.2μm；下耦合銅環與聚酰亞胺材料結合層(3)由左右兩部分聚酰亞胺矩形塊與中部下耦合銅環組成，下耦合銅環外半徑R2o為36μm，內半徑R2i為33μm，厚度為0.2μm；兩個非同心耦合銅環圓心之間的水平間隔距離為4μm。
3.根據權利要求1所述的一種非同層雙偏心圓太赫茲波吸收器，其特征在于所述的介質平板(1)的材料為銅，其長度和寬度都為100μm，厚度為0.2μm。
4.根據權利要求1所述的一種非同層雙偏心圓太赫茲波吸收器，其特征在于所述的聚酰亞胺的介電常數為3.5，聚酰亞胺耦合層(4)的長度和寬度都為100μm，厚度為1.75μm；聚酰亞胺層(2)的長度和寬度都為100μm，厚度為9.6μm。
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