[發明專利]在基板上形成膜層的方法和在基板上形成膜層的設備

有效

• 申請號: 201711229735.1
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN108011054B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 程磊磊;周斌;王東方;趙策;黃勇潮;劉寧;汪軍
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L21/66
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜春咸;陳源<國際申請>=<國際公布>=

本發明公開了一種在基板上形成膜層的方法及設備。方法包括：在檢測區域設置檢測板，檢測板包括至少一個檢測單元，每個檢測單元都包括間隔設置的第一檢測電極和第二檢測電極；形成膜層，包括目標膜層和檢測膜層，檢測膜層填充滿第一檢測電極和第二檢測電極之間的間隔；在形成膜層的過程中，檢測所述檢測膜層的厚度，根據厚度以及成膜時間，計算已經形成的膜層的成膜速率，根據該成膜速率，調節當前的成膜速率。能夠準確檢測基板上所形成檢測膜層的厚度，并根據檢測膜層的厚度以及成膜速率指導目標膜層的生產工藝，有效提高生產速率，提高膜層的工藝良率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種在基板上形成膜層的方法以及一種在基板上形成膜層的設備。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，是一種利用有機半導體材料制成的薄膜發光器件，其具有自發光的特性。OLED主要采用較薄的有機材料涂層和玻璃基板制成，而且無需背光源。因此，當有電流通路時，這些有機材料就會主動發光。由于OLED依賴于電流驅動，因此OLED的發光亮度與流經該OLED的電流大小有關，作為驅動的薄膜晶體管(Thin-film transistor，TFT)的電學性能和穩定性的優劣直接影響上述OLED的顯示效果，尤其是當TFT基板膜層材料的膜厚控制不精準時，這會導致整個OLED顯示器件出現顯示不均勻的問題。

現有的測量TFT基板，為了監控所形成的膜層的厚度，對于金屬膜層(例如柵極、源漏極和像素電極)，會在金屬膜層制作完成時，測試金屬膜層的方塊電阻；對于非金屬層(例如絕緣層)，則在非金屬膜層制作完成時，通過折射率計算得到光學膜厚；對于有源層，在有源層制作完成時，采用氧含量法計算膜厚，例如，通過測試氧含量表征膜厚。

但是，上述方法由于均是在膜層制作完成以后，再對所形成的膜層的厚度進行檢測，并不能夠實時監測工藝過程中的膜厚，其次，通過折射率計算得到光學膜厚以及通過采用氧含量法計算膜厚的方法中，會存在測量誤差。另外，上述方法顯然也不能夠實現實時監控成膜速率。

因此，如何設計一種能夠在形成膜層的過程中準確檢測膜層厚度的膜層形成方法成為本領域亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種在基板上形成膜層的方法以及一種在基板上形成膜層的設備。

為了實現上述目的，本發明的第一方面，提供一種在基板上形成膜層的方法，所述基板包括目標區域和位于所述目標區域外的檢測區域，所述方法包括：

在所述檢測區域設置檢測板，所述檢測板包括至少一個檢測單元，每個所述檢測單元都包括間隔設置的第一檢測電極和第二檢測電極；

形成膜層，所述膜層包括位于所述目標區域的目標膜層和位于所述檢測板的檢測膜層，其中，所述檢測膜層填充滿同一個檢測單元中的所述第一檢測電極和所述第二檢測電極之間的間隔；

在形成膜層的過程中，檢測所述檢測膜層的厚度；

根據所述檢測膜層的厚度以及成膜時間，計算已經形成的膜層的成膜速率；

根據已經形成的膜層的成膜速率，調節當前的成膜速率。

優選地，所述檢測板包括多個所述檢測單元，所述檢測膜層填充滿各個檢測單元中的所述第一檢測電極和所述第二檢測電極之間的間隔；

所述檢測所述檢測膜層的厚度的步驟包括：

分別檢測各個檢測單元內的各檢測膜層的厚度；

計算檢測到的各檢測膜層的厚度的平均膜厚，以所述平均膜厚作為所述檢測膜層的厚度。

優選地，所述檢測板包括多組檢測單元；