[發明專利]形成半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201711229436.8
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN109427683B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 蔡宗裔;陳燕銘;陳殿豪;蔡瀚霆;李宗霖;何嘉政;林銘祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

提供具有一基板和在該基板之上的一硬罩幕層的一裝置；

形成一心軸于該硬罩幕層之上；

沉積一材料層于該心軸的多個側壁上；

植入一摻雜劑到該材料層中，其中該摻雜劑包括硼；

使用該心軸和該材料層共同作為一蝕刻罩幕來執行一蝕刻制程于該硬罩幕層上，從而形成一圖案化硬罩幕層，其中該蝕刻制程同時產生沉積于該圖案化硬罩幕層的多個側壁上的一介電層，該介電層含有該摻雜劑；以及

通過使用該圖案化硬罩幕層和該介電層共同作為一蝕刻罩幕蝕刻該基板來形成一鰭片。

2.根據權利要求1所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于：

該基板包括一第一半導體層和在該第一半導體層之上的一第二半導體層，該第一半導體層和該第二半導體層具有不同的材料組成；以及

蝕刻該基板包括蝕刻該第二半導體層。

3.根據權利要求1所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于：

執行該蝕刻制程包括以一氣體執行一干式蝕刻制程；以及

該介電層由該摻雜劑和該氣體之間的一化學反應產生。

4.根據權利要求3所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，在該圖案化硬罩幕層的所述多個側壁的一底部的該介電層，相較于在該圖案化硬罩幕層的所述多個側壁的一頂部，具有一較大的厚度。

5.根據權利要求1所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，植入該摻雜劑在該材料層中的硼的濃度為2x10²⁰cm^-3至5x10²¹cm^-3。

6.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一心軸于該基板之上；

形成一摻雜材料層于該心軸的多個側壁和一頂表面上；以及

通過移轉由該心軸和該摻雜材料層所共同定義的一圖案到該基板中來圖案化該基板。

7.根據權利要求6所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，該摻雜材料層含有硼。

8.根據權利要求6所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，該基板包括一磊晶半導體層和在該磊晶半導體層之上的一硬罩幕層。

9.根據權利要求8所述的形成半導體裝置的方法，其特征在于，圖案化該基板包括：

使用該心軸和該摻雜材料層作為一蝕刻罩幕來蝕刻該硬罩幕層，其中在蝕刻該硬罩幕層期間產生一介電材料，并沉積于該經蝕刻的硬罩幕層的多個側壁上；以及

使用該經蝕刻的硬罩幕層和該介電材料作為一蝕刻罩幕來蝕刻該磊晶半導體層。

10.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

提供一裝置，該裝置具有在一第一區域和一第二區域中的一半導體層、在該第二區域中的該半導體層之上的一磊晶層、以及覆蓋在該第一區域中的該半導體層和在該第二區域中的該磊晶層的一硬罩幕層；

形成一第一心軸于該第一區域中的該硬罩幕層之上，以及形成一第二心軸于該第二區域中的該硬罩幕層之上；

沉積覆蓋該第一心軸和該第二心軸的一材料層；

植入一雜質于該第二區域中的該材料層中；

去除在該第一區域中的該材料層；

使用該第一心軸和該第二心軸作為一蝕刻罩幕來蝕刻該硬罩幕層，造成在該第一區域中的一第一經蝕刻的硬罩幕特征和在該第二區域中的一第二經蝕刻的硬罩幕特征；以及

使用該第一經蝕刻的硬罩幕特征和該第二經蝕刻的硬罩幕特征作為一蝕刻罩幕來蝕刻該半導體層和該磊晶層，造成在該第一區域中的一第一鰭片和在該第二區域中的一第二鰭片。