[發明專利]一種金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法有效
| 申請號： | 201711227505.1 | 申請日： | 2017-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN107908893B | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 趙璇;王丹;譚鐵群;于世瑞 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/392 | 分類號： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 層光阻 頂部 缺失 工藝 熱點 版圖 處理 方法 | ||
1.一種金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，包括：
步驟S1：篩選出光阻頂部缺失工藝熱點的金屬邊區域，所述金屬邊區域內具有上通孔層和下通孔層；
步驟S2：判斷所述上金屬邊與所述上通孔層或所述下通孔層、以及所述下金屬邊與所述上通孔層或所述下通孔層是否均為相切關系；若是，則執行步驟S3；若否，則執行步驟S4；
步驟S3：對所述上金屬邊的相交鄰邊和所述下金屬邊的相交鄰邊分別做拉伸的版圖修正動作；
步驟S4：對不相切的金屬邊做后退的版圖修正動作。
2.根據權利要求1所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，還包括：
步驟S5：對所述金屬邊區域進行光學鄰近效應修正。
3.根據權利要求2所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述上金屬邊和所述下金屬邊的30nm的范圍內具有上通孔層和下通孔層。
4.根據權利要求2所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述金屬邊區域的上金屬邊和下金屬邊之間的距離大于或等于最小設計規則。
5.根據權利要求4所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述上金屬邊和所述下金屬邊之間的距離大于最小設計規則不超過10nm。
6.根據權利要求2所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，所述步驟S1中，上通孔層的通孔的邊長和下通孔層的通孔的邊長均為最小設計規則。
7.根據權利要求2所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述上金屬邊的所述相交鄰邊與所述上金屬邊垂直，所述下金屬邊的所述相交鄰邊與所述下金屬邊垂直。
8.根據權利要求7所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，步驟S3中，所述上金屬邊的所述相交鄰邊的長度不超過100nm。
9.根據權利要求7所述的金屬層光阻頂部缺失工藝熱點的版圖處理方法，其特征在于，步驟S3中，所述下金屬邊的所述相交鄰邊的長度不超過100nm。
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