[發明專利]用于制造半導體器件和功率半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201711225347.6
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN108122746B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: R.哈澤;M.H.韋萊邁爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/40;H01L29/423
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;杜荔南

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一側的半導體襯底；

在半導體襯底中形成溝槽，溝槽具有底部和從底部向半導體襯底的第一側延伸的側壁；

在溝槽的側壁和底部上形成至少包括第一絕緣層和第二絕緣層的絕緣結構；

在溝槽的下部部分中形成下部導電結構；

移除溝槽的上部部分中的第二絕緣層而至少部分地留下溝槽的下部部分中的第二絕緣層并且留下整個溝槽中的第一絕緣層；以及

在溝槽的上部部分中形成上部導電結構；

其中第一絕緣層和第二絕緣層包括不同的材料，第二絕緣層的上端限定溝槽的下部部分的上端。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述絕緣結構使得第一絕緣層覆蓋底部并且從溝槽的底部向半導體襯底的第一側延伸，并且使得第二絕緣層形成在至少在溝槽中的第一絕緣層上并且對其進行覆蓋。

3.根據權利要求1所述的方法，其中絕緣結構還包括第二絕緣層上的第三絕緣層，該方法還包括：

移除溝槽的上部部分中的第三絕緣層而至少部分地留下溝槽的下部部分中的第三絕緣層。

4.根據權利要求3所述的方法，其中移除第三絕緣層，使得在已經移除溝槽的上部部分中的第二絕緣層之后第三絕緣層的上端在第二絕緣層的上端下方。

5.根據權利要求3所述的方法，還包括：

在已經移除溝槽的上部部分中的第三絕緣層之后并且在移除溝槽的上部部分中的第二絕緣層之前在下部導電結構上形成絕緣插入物。

6.根據權利要求5所述的方法，其中通過在溝槽上和/或中沉積電介質材料來形成絕緣插入物。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在移除溝槽的上部部分中的第二絕緣層之前形成下部導電結構，并且其中在移除溝槽的上部部分中的第二絕緣層之后在溝槽的上部部分中形成上部導電結構。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在共同過程中形成下部導電結構和上部導電結構以形成共同導電結構，所述共同導電結構從溝槽的下部部分向上部部分延伸，其中共同導電結構包括溝槽的下部部分與上部部分之間的過渡處的臺階。

9.根據權利要求1所述的方法，其中絕緣結構還包括第二絕緣層上的第三絕緣層，其中該方法還包括：

移除溝槽的上部部分中的第三絕緣層和部分地移除溝槽的下部部分中的第三絕緣層，使得第三絕緣層的上端相對于第二絕緣層的上端凹進；以及

在溝槽的下部部分中形成下部導電結構，使得下部導電結構從第三絕緣層的上端下方向第三絕緣層的上端上方延伸。

10.根據權利要求9所述的方法，其中下部導電結構與第三絕緣層的上端上方的第二絕緣層接觸。

11.根據權利要求1所述的方法，其中絕緣結構限定溝槽內的空間并對其進行定界，其中移除溝槽的上部部分中的第二絕緣層包括加寬溝槽的上部部分中的空間，該方法還包括：

至少部分地利用第一導電材料填充溝槽的空間的下部部分以在溝槽的下部部分中形成下部導電結構；以及

至少部分地利用第二導電材料填充溝槽的空間的上部部分以在溝槽的上部部分中形成上部導電結構。

12.根據權利要求11所述的方法，其中包括以下中的一個：

第一導電材料和第二導電材料是相同的導電材料；

第一導電材料和第二導電材料包括金屬、金屬合金、金屬硅化物、摻雜的多晶硅或其組合；

第一導電材料和第二導電材料屬于不同的導電材料；

第一導電材料包括金屬、金屬合金、金屬硅化物或其組合，并且第二導電材料包括摻雜的多晶硅；以及

第一導電材料包括摻雜的多晶硅，并且第二導電材料包括金屬、金屬合金、金屬硅化物或其組合。