[發(fā)明專利]偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711224962.5
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN107861268B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉恩才;呂啟濤;高云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/095
• 分類號: G02F1/095;G02B5/30
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 石佩

1.一種偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，包括隔離器芯以及位于隔離器芯兩側(cè)的第一準直器和第二準直器；所述隔離器芯包括光路順次連接的第一正單軸雙折射晶片、第二正單軸雙折射晶片、第一負單軸雙折射晶片和第二負單軸雙折射晶片；所述第一正單軸雙折射晶片和所述第二正單軸雙折射晶片之間依次設(shè)有第一法拉第旋光模塊和第一半波片；所述第一負單軸雙折射晶片和所述第二負單軸雙折射晶片之間依次設(shè)有第二法拉第旋光模塊和第二半波片；其中，所述第一正單軸雙折射晶片和所述第二正單軸雙折射晶片材料相同且厚度相同，所述第一負單軸雙折射晶片和所述第二負單軸雙折射晶片材料相同且厚度相同；所述光路分別經(jīng)所述第一正單軸雙折射晶片和所述第一負單軸雙折射晶片分離，并分別經(jīng)所述第二正單軸雙折射晶片和所述第二負單軸雙折射晶片合成一束；輸入所述隔離器芯的光路和輸出所述隔離器芯的光路處于同一軸線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，所述第一正單軸雙折射晶片和所述第二正單軸雙折射晶片材料均為YVO₄或TiO₂；所述第一負單軸雙折射晶片和所述第二負單軸雙折射晶片材料均為冰洲石或LiNbO₃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，所述第一準直器為Grin透鏡或凸透鏡；所述第二準直器為Grin透鏡或凸透鏡。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，當(dāng)所述第一正單軸雙折射晶片和所述第二正單軸雙折射晶片材料均采用YVO₄時，YVO₄的晶體厚度為40.38mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，當(dāng)所述第一負單軸雙折射晶片和所述第二負單軸雙折射晶片材料均采用冰洲石時，冰洲石的晶體厚度為41.50mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，所述第一準直器、所述第二準直器、所述第一正單軸雙折射晶片、所述第二正單軸雙折射晶片、所述第一負單軸雙折射晶片、第二負單軸雙折射晶片、所述第一法拉第旋光模塊、所述第一半波片、第二法拉第旋光模塊和第二半波片的透射率均大于99.5％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，還包括殼體，所述隔離器芯設(shè)置于所述殼體內(nèi)，所述第一準直器沿所述第一正單軸雙折射晶片的通光方向設(shè)置于所述殼體的一側(cè)，以使經(jīng)所述第一準直器的準直光垂直入射所述第一正單軸雙折射晶片的端面；所述第二準直器沿所述第二負單軸雙折射晶片的通光方向設(shè)置于所述殼體的另一側(cè)，以使從所述第二負單軸雙折射晶片出射光經(jīng)所述第二準直器聚焦進入耦合光纖。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，所述殼體內(nèi)于所述第二正單軸雙折射晶片和第一負單軸雙折射晶片之間設(shè)有隔擋件，所述隔擋件上開設(shè)有通光孔，以供光束從所述第二正單軸雙折射晶片出射到所述第一負單軸雙折射晶片。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，所述第一準直器和所述第二準直器均為Grin透鏡時，所述第一準直器和所述第二準直器遠離所述隔離器芯的一端分別與傳輸光纖相熔接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的偏振無關(guān)同軸耦合光纖隔離器，其特征在于，所述傳輸光纖為單模單包層光纖、單模雙包層光纖或大模場雙包層光纖。