[發(fā)明專利]光電半導(dǎo)體元件及其制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711223757.7
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN108010971B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余子強(qiáng);富振華;黃信雄
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18;H01L33/40;H01L33/62
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陳小雯

1.一種光電半導(dǎo)體組件，其特征在于，該光電半導(dǎo)體組件包含：

基板；

光電系統(tǒng)，位于該基板之上；

阻障層，位于該光電系統(tǒng)之上，其中該阻障層接觸該光電系統(tǒng)；及

電極，位于該阻障層之上，

其中該光電半導(dǎo)體組件于室溫下具有一第一順向電壓及于高于室溫的溫度下進(jìn)行退火處理后具有一第二順向電壓；其中該第二順向電壓與該第一順向電壓的差異值小于0.2伏特。

2.一種光電半導(dǎo)體組件，其特征在于，該光電半導(dǎo)體組件包含：

基板；

光電系統(tǒng)，位于基板之上，其中該光電系統(tǒng)包含第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、轉(zhuǎn)換單元及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體；

阻障層，位于光電系統(tǒng)之上，其中該阻障層的材料包含金屬氮化物，且該阻障層接觸該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；及

電極，位于阻障層之上。

3.如權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該阻障層的材料包含金屬氮化物。

4.如權(quán)利要求2或3所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該金屬氮化物包含TiNx。

5.如權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該退火處理該光電半導(dǎo)體組件的溫度大于150℃。

6.如權(quán)利要求1或2所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該基板包含一導(dǎo)電基板。

7.如權(quán)利要求1或2所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該光電系統(tǒng)的材料包含一種或一種以上的元素選自鎵(Ga)，鋁(Al)，銦(In)，砷(As)，磷(P)，氮(N)以及硅(Si)所構(gòu)成群組。

8.如權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該第一順向電壓與該第二順向電壓由350mA電流注入該光電半導(dǎo)體組件所測得。

9.如權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該阻障層的厚度不小于30埃。

10.如權(quán)利要求6所述的光電半導(dǎo)體組件，其中該光電系統(tǒng)與該導(dǎo)電基板之間包含一過渡層。