[發明專利]一種增強型場效應晶體管

有效

• 申請號: 201711223203.7
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN107968123B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 呂元杰;王元剛;宋旭波;譚鑫;周幸葉;馮志紅
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 張二群

1.一種增強型場效應晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

溝道層，形成于所述襯底的上表面；

源電極和漏電極，分別形成于所述溝道層的上表面，且位于所述溝道層的相對兩側；

柵電極，形成于所述溝道層的上表面，且位于所述源電極和所述漏電極之間；

所述溝道層中柵電極對應區域之外的區域設有無載流子區；所述無載流子區不存在載流子，所述溝道層的其余部分存在載流子。

2.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述無載流子區通過在所述無載流子區所在的溝道層中注入與所述溝道層的摻雜類型相反的摻雜離子，所述摻雜離子中和所述無載流子區所在的溝道層中的載流子形成。

3.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述無載流子區通過在所述溝道層中刻蝕凹槽形成。

4.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述無載流子區通過在所述無載流子區所在的溝道層的上表面設置與所述溝道層的摻雜類型相反的帽層，所述帽層的摻雜濃度大于所述溝道層的摻雜濃度，所述帽層中的載流子中和所述無載流子區所在的溝道層中的載流子形成。

5.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述無載流子區的數量為1以上。

6.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述柵電極的數量為1個以上。

7.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述柵電極與所述溝道層之間設有介質層。

8.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述溝道層上表面的所述源電極、所述柵電極和所述漏電極以外的區域設有鈍化層。

9.如權利要求1所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述無載流子區的寬度為1納米至10微米。

10.如權利要求1至9任一項所述的增強型場效應晶體管，其特征在于，所述襯底與所述溝道層之間設有本征層。