[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器光譜響應(yīng)空間輻射損傷的測(cè)試設(shè)備及其方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711223104.9
• 申請(qǐng)日: 2017-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN108267298A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪波;劉偉鑫;李珍;戴利劍;孔澤斌;徐導(dǎo)進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海精密計(jì)量測(cè)試研究所;上海航天信息研究所
• 主分類號(hào): G01M11/02
• 分類號(hào): G01M11/02
• 代理公司: 上海航天局專利中心 31107
• 代理人: 余岢

1.一種CMOS圖像傳感器光譜響應(yīng)空間輻射損傷的測(cè)試設(shè)備，包括可調(diào)光源（1）、濾波輪（7）和三維樣品調(diào)整臺(tái)（8），其特征在于，所述測(cè)試設(shè)備還包括導(dǎo)光筒（2）、積分球（5）、標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器（6）和遮光板（3）；所述可調(diào)光源（1）放置于導(dǎo)光筒（2）內(nèi)，所述導(dǎo)光筒（2）的出光口與所述積分球（5）的入光口連接，所述遮光板（3）可運(yùn)動(dòng)地設(shè)置于所述積分球（5）側(cè)面入光口，用于調(diào)節(jié)進(jìn)入所述積分球（5）的光通量，所述標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器（6）放置于所述積分球（5）內(nèi)壁上，用于實(shí)時(shí)監(jiān)控由所述積分球（5）的光窗輸出的均勻光的輻照度，所述濾波輪（7）上安裝有不同波長(zhǎng)的濾波片；所述可調(diào)光源（1）發(fā)出的光依次通過所述導(dǎo)光筒（2）、所述積分球（5）、所述濾波片，到達(dá)所述三維樣品調(diào)整臺(tái)（8）上的待測(cè)CMOS圖像傳感器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器光譜響應(yīng)空間輻射損傷的測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述積分球（5）側(cè)壁上設(shè)置有固定光源（4）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器光譜響應(yīng)空間輻射損傷的測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述可調(diào)光源（1）為溴鎢燈。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器光譜響應(yīng)空間輻射損傷的測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述固定光源（4）為溴鎢燈。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器光譜響應(yīng)空間輻射損傷的測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述遮光板（3）通過步進(jìn)電動(dòng)機(jī)帶動(dòng)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。

6.基于權(quán)利要求1所述CMOS圖像傳感器光譜響應(yīng)空間輻射損傷的測(cè)試設(shè)備的測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，使光通過所述積分球（5）和所述濾波輪（7）上波長(zhǎng)為λ的濾光片后，得到波長(zhǎng)λ的單色光，調(diào)整所述三維樣品調(diào)整臺(tái)（8），使所述波長(zhǎng)λ的單色光照射到待測(cè)CMOS圖像傳感器的光敏面上，所述待測(cè)CMOS圖像傳感器采集圖像；

步驟二，使光通過所述濾波片上不同波長(zhǎng)的濾光片來改變所述單色光的波長(zhǎng)λ的值，所述待測(cè)CMOS圖像傳感器采集相應(yīng)的圖像；

步驟三，根據(jù)以下公式計(jì)算所測(cè)CMOS圖像傳感器的響應(yīng)度：

其中，R_λ為所測(cè)CMOS圖像傳感器接收波長(zhǎng)λ單色光時(shí)的響應(yīng)度；V為所述標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器（6）的輸出信號(hào)；R為所述標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器（6）波長(zhǎng)λ的定標(biāo)值；A_S為所述標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器（6）的面積；I_λ為單色光波長(zhǎng)為λ時(shí)所述標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器（6）的輸出電流；A_d為被測(cè)器件像元面積；T為積分時(shí)間；繪制波長(zhǎng)λ與響應(yīng)度R_λ的關(guān)系曲線一；

步驟四，用高能粒子輻照步驟一至三所測(cè)CMOS圖像傳感器后，重復(fù)步驟一至三的操作，得到輻照后的響應(yīng)度R_λ^’，以及波長(zhǎng)λ與響應(yīng)度R_λ^’的關(guān)系曲線二；

步驟五，比對(duì)所述曲線一和所述曲線二，得到所測(cè)CMOS圖像傳感器受到高能粒子輻照后光譜響應(yīng)的空間輻射損傷；

步驟六，調(diào)節(jié)所述可調(diào)光源（1）和/或所述遮光片，重復(fù)步驟一至步驟五。