[發明專利]電子設備

有效

• 申請號: 201711222663.8
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN108154894B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 盧光明
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C11/56
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

一種電子設備包括半導體存儲器，該半導體存儲器包括：電阻式儲存單元；參考電阻單元；比較塊，其通過第一輸入端子和第二輸入端子電耦接到電阻式儲存單元和參考電阻單元，從而將流經第一輸入端子的單元電流與流經第二輸入端子的參考電流進行比較；第一鉗位部件，其根據第一節點的電壓電平來控制單元電流的最大電流量；第二鉗位部件，其根據第一節點的電壓電平來控制參考電流的最大電流量；穩壓塊，其在充電時段或放電時段期間穩定第一節點的電壓；以及切換部件，其在充電時段或放電時段中與第一節點和穩壓塊電耦接。

相關申請的交叉引用

本申請要求2016年12月2日提交的申請號為10-2016-0163322、題為“ELECTRONICDEVICE(電子設備)”的韓國專利申請的優先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

本專利文獻涉及一種存儲電路或存儲器件及其在電子設備或電子系統中的應用。

背景技術

近來，隨著電子電器朝向小型化、低功耗、高性能、多功能等的發展趨勢，在本領域中需要能夠將信息儲存在諸如計算機、便攜式通信設備等的各種電子電器中的半導體器件，并且已經對半導體器件進行了研究。這樣的半導體器件包括可以使用根據所施加的電壓或電流而在不同的電阻狀態之間切換的特性來儲存數據的半導體器件，例如RRAM(電阻式隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電式隨機存取存儲器)、MRAM(磁性隨機存取存儲器)、電熔絲等。

發明內容

本專利文獻中公開的技術包括存儲電路或存儲器件及其在電子設備或電子系統中的應用以及降低感測過程中的操作噪聲的電子設備的各種實施方式。

在一方面中，電子設備包括半導體存儲器，該半導體存儲器包括：多個電阻式儲存單元，每個電阻式儲存單元被構造成呈現用于儲存數據的不同電阻值；參考電阻單元；比較塊，其通過第一輸入端子電耦接到多個電阻式儲存單元以及通過第二輸入端子電耦接到參考電阻單元，比較塊能夠操作以將流經第一輸入端子的單元電流與流經第二輸入端子的參考電流進行比較；具有端子的第一鉗位部件，該端子包括耦接到多個電阻式儲存單元的第一端子、耦接到第一輸入端子的第二端子以及耦接到第一節點的第三端子，并且該第一鉗位部件能夠操作以根據第一節點的電壓電平來控制單元電流的最大電流量；第二鉗位部件，其耦接在參考電阻單元與第二輸入端子之間，并且能夠操作以根據第一節點的電壓電平來控制參考電流的最大電流量；穩壓塊，其通過第一節點電耦接到第一鉗位部件，并且能夠操作以在充電時段或放電時段期間穩定第一節點的電壓；以及切換部件，其在充電時段或放電時段中與第一節點和穩壓塊電耦接。

上述方法的實施方式可以包括以下的一個或更多個。