[發明專利]一種像素界定層、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201711221727.2 | 申請日: | 2017-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN108010946B | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 侯文軍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 界定 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括像素界定層,所述像素界定層包括第一像素界定層和設置在所述第一像素界定層之上的第二像素界定層,所述像素界定層被劃分為顯示區域以及位于所述顯示區域外側的輔助區域;所述輔助區域中的第二像素界定層的寬度小于所述顯示區域中的第二像素界定層的寬度;
其中,所述像素界定層內設置有與像素子單元對應的開口區間且至少一個像素子單元形成一個像素單元;所述第二像素界定層的寬度為同一像素單元中相鄰像素子單元之間的連線方向的寬度;
所述輔助區域中的第一像素界定層的寬度和高度與所述顯示區域中的第一像素界定層的寬度和高度均相等,用于使得所述輔助區域中第一像素界定層對應的開口區域大小與所述顯示區域中第一像素界定層對應的開口區域大小相同;
所述顯示區域中的第一像素界定層的寬度與第二像素界定層的寬度之差的取值范圍為1-3um;所述輔助區域中的第一像素界定層的寬度與第二像素界定層的寬度之差的取值范圍為3-10um;
所述顯示區域中的第一像素界定層的長度與第二像素界定層的長度之差的取值范圍為1-3um;所述輔助區域中的第一像素界定層的長度與第二像素界定層的長度之差的取值范圍為3-20um;其中,所述長度為相鄰像素單元之間的連線方向的長度,且長度方向與寬度方向垂直;
所述第一像素界定層的寬度大于等于15um;
顯示器件設計時選在光學第一反節點時需要的厚度為30nm時,輔助像素的數量為1個;或者,顯示器件設計時選在光學第二反節點則需要的厚度為100nm時,輔助像素的數量為1個。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一像素界定層為具有親液特性的無機像素界定層,所述第二像素界定層為具有疏液特性的有機像素界定層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述無機像素界定層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種;所述有機像素界定層的材料包括氟化聚酰亞胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯、聚硅氧烷、有機硅樹脂中的一種或多種。
4.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求1-3任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





