[發明專利]根據電路設計圖形設置掃描閾值的方法有效
| 申請號: | 201711220974.0 | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN108039326B | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 陳超;郭賢權;許向輝;陳昊瑜 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G06T7/00;G06T7/136 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 根據 電路設計 圖形 設置 掃描 閾值 方法 | ||
本發明公開了一種根據電路設計圖形設置掃描閾值的方法,在光學檢測機臺內增加一個包含有電路設計圖形數據庫的處理模塊,該模塊通過對比掃描部分所得到的數字灰階圖像和電路設計圖形數據庫中所提取該數字灰階圖像所在坐標尺寸的電路設計圖形,劃分缺陷信號點的落點位置;并在掃描過后將掃描得到的缺陷信號點按照落在曝光位置、非曝光位置以及曝光和非曝光交界位置分在三個不同的類別內,分別設置掃描閾值參數。本發明能夠減少掃描中所得到的前站缺陷的信號數量,從而降低缺陷掃描的非真實缺陷率。
技術領域
本發明涉及集成電路制造工藝研發過程中對完整的晶圓進行缺陷的檢查和分析領域,特別是涉及一種根據電路設計圖形設置掃描閾值的方法。
背景技術
在半導體生產制造過程中的各個站點都需要通過光學檢測機臺對晶圓表面缺陷進行掃描檢測。
在缺陷檢測過程中,工程師通常只關心當站晶圓表面。然而,由于光學檢測機臺采用紫外波段光束對晶圓表面進行檢測,同時,基于硅為半導體的晶圓中存在多種膜層對紫外波段光束有較大的透光率,如二氧化硅等,使得采用光學檢測機臺對各站點上的晶圓進行檢測時,都普遍存在掃描結果中包含前站缺陷的情況。在前站沒有數據的情況下,會造成當站缺陷占此次掃描得到總缺陷中的比率過低的問題,進而影響缺陷的復檢效率。
在光學檢測程式的建立過程中,工程師通常會人為對缺陷的出現站點作判斷,并通過機臺中得到的信號參數和信號強度對缺陷作分類,并通過設置閾值參數來過濾前站缺陷造成的缺陷信號,同時保留當站的關鍵缺陷。然而,當前站信號很大,且與當站缺陷信號相似度很高的情況下,現有的一些缺陷程式建立方法很難做到在保留當站缺陷的同時,過濾前站缺陷造成的缺陷信號。這就使得掃描結果中工程師所不關心的前站缺陷信號過多,影響到對當站缺陷結果的判斷。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種根據電路設計圖形設置掃描閾值的方法,能夠減少掃描中所得到的前站缺陷的信號數量,從而降低缺陷掃描的非真實缺陷率。
為解決上述技術問題,本發明的根據電路設計圖形設置掃描閾值的方法是采用如下技術方案實現的:在光學檢測機臺內設置一包含有電路設計圖形數據庫的處理模塊,所述處理模塊通過對比掃描部分所得到的數字灰階圖像和電路設計圖形數據庫中所提取該數字灰階圖像所在坐標等尺寸的電路設計圖形,劃分缺陷信號點的落點位置;根據數字灰階圖像中缺陷信號差異點的所在的像素位置,與相應的電路設計圖形進行比對,從而判斷和區分該差異點信號處在當層設計圖形中的曝光位置或非曝光位置;之后,將掃描得到的缺陷信號點按照落在曝光位置、非曝光位置以及曝光和非曝光交界位置分在三個不同的類別內;最后,在掃描程式建立時的閾值參數設定步驟中,在同一掃描區域中,將分落在三個類別內的缺陷信號分別設置掃描閾值參數,即按照缺陷信號點在當層圖形中落點位置設置掃描閾值。
采用本發明的方法,可以更有效地區分和過濾由前層缺陷引起的非真實缺陷信號,降低檢測程式的非真實缺陷率,從而保證檢測程式可以更加靈敏,提高當層微小的關鍵缺陷被發現和被復檢的幾率,從而在研發早期排除盡可能多的系統缺陷。
附圖說明
下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明:
圖1是所述根據電路設計圖形設置掃描閾值的方法的流程圖;
圖2是缺陷分類和閾值設置示意圖。
具體實施方式
結合圖2所示,現有的設置掃描閾值的方法是:第一步先按照掃描區域劃分缺陷,第二步設置掃描閾值參數。而本發明采用的方法在第一步先按照掃描區域劃分缺陷后增加一步缺陷分類,第二步按照缺陷在電路設計圖形中的落點位置劃分缺陷,第三步再設置掃描閾值參數。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





