[發(fā)明專利]硅片濕刻裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711220851.7 | 申請日： | 2017-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN107958858A | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳五奎;劉強(qiáng);徐文州 | 申請（專利權(quán)）人： | 樂山新天源太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙)51232 | 代理人： | 李玉興 |
| 地址： | 614000 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片 裝置 | ||
1.硅片濕刻裝置，其特征在于：包括儲水箱(300)、HF儲存箱(200)、HNO3儲存箱(400)以及沿硅片輸送方向依次布置的去PSG槽(100)、刻蝕槽(101)、第一清洗槽(102)、堿洗槽(103)、酸中和槽(104)、第二清洗槽(105)、酸洗槽(106)、第三清洗槽(107)；
所述儲水箱(300)分別與刻蝕槽(101)、第一清洗槽(102)以及第二清洗槽(105)通過帶流量計(jì)的電磁閥(500)連通；
所述HF儲存箱(200)分別與去PSG槽(100)、刻蝕槽(101)通過帶流量計(jì)的電磁閥(500)連通；
所述HNO3儲存箱(400)分別與刻蝕槽(101)、酸洗槽(106)通過帶流量計(jì)的電磁閥(500)連通。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片濕刻裝置，其特征在于：所述HF儲存箱(200)通過帶流量計(jì)的電磁閥(500)與酸洗槽(106)連通。
3.如權(quán)利要求1所述的硅片濕刻裝置，其特征在于：所述HF儲存箱(200)通過帶流量計(jì)的電磁閥(500)與酸中和槽(104)連通。
4.如權(quán)利要求1所述的硅片濕刻裝置，其特征在于：還包括HCL儲存箱，所述HC l儲存箱通過帶流量計(jì)的電磁閥(500)與酸中和槽(104)連通。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
