[發(fā)明專利]一種角度可控的SiC襯底緩坡刻蝕方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711220783.4 | 申請日： | 2017-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN108063087B | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱繼紅;藺增金;趙小瑞;張志文 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京燕東微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 角度 可控 sic 襯底 緩坡 刻蝕 方法 | ||
1.一種角度可控的SiC襯底緩坡刻蝕方法，其特征在于，步驟包括：
在SiC襯底上形成抗刻蝕掩模層；
在所述抗刻蝕掩模層上形成形貌控制掩模層；
腐蝕所述形貌控制掩模層，包括：
在所述形貌控制掩模層上涂覆第一光刻膠層，對所述第一光刻膠層進行光刻，形成所述形貌控制掩模層的腐蝕窗口，利用所述腐蝕窗口對所述形貌控制掩模層進行腐蝕，以及
在所述形貌控制掩模層上涂覆第二光刻膠層，對所述第二光刻膠層進行光刻，在所述形貌控制掩模層上形成刻蝕窗口，利用所述刻蝕窗口對所述形貌控制掩模層進行側(cè)蝕，在所述第二光刻膠層與所述抗刻蝕掩模層之間形成刻蝕間隙；
腐蝕所述抗刻蝕掩模層，形成具有緩坡角度的所述抗刻蝕掩模層；以及
基于具有所述緩坡角度的所述抗刻蝕掩模層刻蝕所述襯底，形成具有所述緩坡角度的所述襯底。
2.如權(quán)利要求1所述的SiC襯底緩坡刻蝕方法，其特征在于，所述抗刻蝕掩模層為氧化硅材料。
3.如權(quán)利要求1所述的SiC襯底緩坡刻蝕方法，其特征在于，通過蒸發(fā)或濺射Al形成所述形貌控制掩模層。
4.如權(quán)利要求1所述的SiC襯底緩坡刻蝕方法，其特征在于，在所述腐蝕所述形貌控制掩模層的步驟中，利用腐蝕液去除所述刻蝕窗口下方的所述形貌控制掩模層，并延長腐蝕時間到光刻膠下方的形貌控制掩模層腐蝕完全。
5.如權(quán)利要求1所述的SiC襯底緩坡刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕窗口的長度是可控的，使得所形成的緩坡角度是可控的，所形成的緩坡角度滿足下式：
其中，θ表示所述緩坡角度，W表示所述抗刻蝕掩模層的厚度，h2表示刻蝕間隙延的長度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
