[發明專利]一種用于金屬鋁基板絕緣介質漿料的無鉛低熔點玻璃粉及其制備方法

有效

• 申請號: 201711219677.4
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN107935398B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 彭小敏;王雲;汪貴發
• 申請（專利權）人: 貴州威頓晶磷電子材料股份有限公司
• 主分類號: C03C12/00
• 分類號: C03C12/00
• 代理公司: 貴州科峰專利商標事務所(普通合伙) 52105
• 代理人: 穆元城

1.一種用于金屬鋁基板的厚膜電路介質漿料的無鉛低熔點玻璃粉，其特征在于：其組分及重量百分比含量為：Bi2O350-85%，B2O32-20%，ZnO5-30%，Li2O1-15%，X 1.5-25%，BaO1-10%，SiO21-10%和Y 1-10%，所述X為 Rb2O、Cs2O 中的一種或幾種組成，所述Y為 TeO2，NiO中的一種或幾種組成，所述X/Li2O 的比例 1.5-3.5，形成混合堿效應。

2.根據權利要求 1 所述的用于金屬鋁基板的厚膜電路介質漿料的無鉛低熔點玻璃粉，其特征在于：其組分及重量百分比含量為：Bi2O360-75%，B2O35-15%，ZnO10-20%，Li2O2-5%，X3-15%，BaO2-5%，SiO21-5%和Y 1-5%，所述X為Rb2O、Cs2O 中的一種或幾種組成，所述Y為 TeO2，NiO中的一種或幾種組成。

3.根據權利要求 1 或 2 所述的用于金屬鋁基板的厚膜電路介質漿料的無鉛低熔點玻璃粉，其特征在于：所述 Bi2O3，B2O3，ZnO，Li2O，X，BaO，SiO2 和Y 粉末的化學純度均≥99.9 wt%。

4.根據權利要求 1 或 2 所述的用于金屬鋁基板的厚膜電路介質漿料的無鉛低熔點玻璃粉的制備方法，其特征在于，包括下列步驟：

（1）按重量百分比稱取各原料，在混料機中攪拌轉動 1h 混合均勻；

（2）將混合料加入石英坩堝內，放入硅碳棒電阻爐內加熱熔煉，熔煉溫度為 950-1100℃，熔煉時間為 30-60min；

（3）將熔煉好的玻璃液水淬、烘干、研磨后進行分級，得到粒度均勻的玻璃粉。