[發明專利]一種基于光學臨近效應修正減少柵極波動的方法

有效

• 申請號: 201711219183.6
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108062010B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 何大權;胡青;魏芳
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明提供了一種基于光學臨近效應修正減少柵極波動的方法，應用于光刻工藝中，其中，提供一目標圖形，并對目標圖形的圖形邊進行分割以形成可移動的圖形片段；包括以下步驟：步驟S1、對目標圖形進行模擬曝光以獲得目標圖形的邊緣誤差；步驟S2、根據邊緣誤差移動圖形片段，并在移動后的目標圖形達到一預定值時執行步驟S3；步驟S3、停止移動圖形片段，判斷移動的圖形片段是否為間隔終端，并在為間隔終端時執行步驟S4；步驟S4、根據當前的圖形片段與柵極之間的距離，對移動之后的間隔終端進行追加移動；步驟S5、固定當前的圖形片段，以形成最終的修正圖形。其技術方案的有益效果在于，在修正過程中可有效減小柵極尺寸波動，可提產品性能。

技術領域

本發明涉及半導體制備領域，尤其涉及一種基于光學臨近效應修正減少柵極波動的方法。

背景技術

在亞波長微影工藝領域，RET(解析度增強技術)技術已經成為提高圖形解析度，增強微影工藝穩定性的重要保證。在不斷尋求193nm光刻解析能力極限的過程中，一些193nm微影技術的加強方法比如浸入式光刻，兩次曝光技術都已經在半導體制造中得到應用，然而在找到合適根本替代解決方案之前，譬如EUV(遠紫外光)實現商業化，OPC OpticalProximity Correction，光學臨近修正。)仍然是先進半導體制造所需要的關鍵技術。

在不斷追求圖形轉移質量的過程中，各種新的OPC技術應運而生，然而在不同的技術節點，OPC技術都受到解析度極限的限制，OPC技術可以優化由于臨近效應造成的尺寸變化，改善線端縮短等問題，但仍然無法避免拐角圓化(Corner Rounding)現象。

在不同技術節點微影工藝中，多晶硅層一直都是最為關鍵的微影層次，不僅因為其設計尺寸在整個技術節點最小，因而在微影工藝中最具挑戰性，而且多晶硅層的硅片尺寸浮動影響到產品的性能，因而對多晶硅層的尺寸控制更為嚴格。

在多數層次的圖形轉移過程中，拐角圓化不會對產品的性能造成大的影響，然而對于多晶硅層，由于柵極尺寸的一致性會影響產品的性能，因而對于靠近拐角的柵極，必須盡量避免拐角圓化對柵極尺寸的影響，才能減少柵極尺寸波動。

現有的處理方法一般采用MRC(掩模板規則限制)避免OPC過度修正，同時確保避免由于過小的掩模板尺寸導致增加制作難度；

但MRC也會導致修正不足引起修正誤差，尤其在線端(Line End)或者間隔終端(Space End)。

圖1，圖2揭示了兩種不同的OPC方法對柵極區域的影響，在圖2的OPC結果中，柵極尺寸的一致性得到明顯的改善。

掩模板規則限制(Mask Rule Constraint)也是影響OPC精度重要因素，在如圖3所示的案例中，柵極區域除了受到拐角圓化效應的影響，掩模板規則限制也導致間隔終端(Space End)存在較大的修正誤差，這些OPC結果最終導致柵極尺寸的波動，并影響產品的性能。

發明內容

針對現有技術中對目標圖形執行OPC修正存在的上述問題，現提供一種旨在可有效減小柵極尺寸波動，可提產品性能的方法。

具體技術方案如下：

一種基于光學臨近效應修正減少柵極波動的方法，應用于光刻工藝中，其中，提供一目標圖形，并對所述目標圖形的圖形邊進行分割以形成可移動的圖形片段；

包括以下步驟：

步驟S1、對所述目標圖形進行模擬曝光以獲得所述目標圖形的邊緣誤差；

步驟S2、根據所述邊緣誤差移動所述圖形片段，并在移動后的所述目標圖形達到一預定值時執行步驟S3；

步驟S3、停止移動所述圖形片段，判斷移動的所述圖形片段是否為間隔終端，并在為所述間隔終端時執行步驟S4；