[發明專利]一種應用于嵌入式系統的掉電處理方法

有效

• 申請號: 201711219177.0
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN107886981B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 潘照榮;張坤
• 申請（專利權）人: 晶晨半導體(上海)股份有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C16/30
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明提供一種應用于嵌入式系統的掉電處理方法，屬于嵌入式系統技術領域，包括：多個模數轉換器監測系統掉電時實時電壓下降最快的電源；微處理器選定實時電壓下降最快的電源為預處理電源；微處理器通過模數轉換器檢測到預處理電源的實時電壓下降到第二電壓時，針對對應預處理電源的外設執行掉電處理操作。本發明的有益效果：在系統掉電時，及時監測到系統掉電并及時采用應對措施，避免死機問題出現，能很好的解決非帶電池產品的掉電問題。

技術領域

本發明涉及嵌入式系統技術領域，尤其涉及一種應用于嵌入式系統的掉電處理方法。

背景技術

嵌入式系統，系統斷電時的保護措施是業界的難題。如果是帶電池的設備，可以由系統芯片(System on a Chip，SOC)來控制掉電時序，業界主流的系統芯片都內置有多路模數轉換器(analog to digital converter，ADC)；如果是非帶電池的產品，基本上無法保證掉電時序。對于非帶電池的產品，業界通常的處理方案，一是通過提高外設的自身掉電保護能力，二是通過軟件算法來優化和規避。

以S905L系統為例，其為非帶電池產品的掉電問題，包括：

1)5V，用于為通用串行接口和模擬音頻供電(for USB and Analog Audio)；

2)3.3V，用于系統芯片接口和外設供電(for SOC IO and Peripheral)，外設可為嵌入式存儲器(eMMC)或Nand閃存(Nand Flash)；

3)1.8V，用于為系統芯片模擬部分和外設供電(for SOC analog part andPeripheral)；

4)1.5V，用于為系統芯片雙倍速率同步動態隨機存儲器和芯片組供電(for SOCDDR and DDR Chipset)；

5)1.1V，用于為系統芯片內核供電(for SOC core)。

由上述內容可知，在外設中，例如Nand Falsh，由3.3V電源來供電。在系統掉電的情況下，如果3.3V低于2.6V的時候，SOC的NAND接口還有執行寫Nand Flash的指令，會出現導致Nand Flash內部數據出錯的幾率大大提升的嚴重錯誤。而現有技術中，缺乏針對非帶電池產品的掉電問題的處理方法，無法及時監測到系統掉電并及時采用應對措施，以解決掉電時序問題和掉電關機問題的方法。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明提供了一種應用于嵌入式系統的掉電處理方法。

本發明采用如下技術方案：

一種應用于嵌入式系統的掉電處理方法，所述嵌入式系統具有相應的系統芯片，所述系統芯片具有微處理器、對應所述微處理器的多路電源、對應所述多路電源的多個外設、對應所述多路電源的多個模數轉換器，每個所述外設對應的所述電源分別具有一標準供電電壓；所述掉電處理方法包括：

步驟S1、所述多個模數轉換器監測系統掉電時實時電壓下降最快的所述電源；

步驟S2、所述微處理器選定實時電壓下降最快的所述電源為預處理電源；

步驟S3、所述微處理器通過所述模數轉換器檢測到所述預處理電源的所述實時電壓下降到第二電壓時，針對對應所述預處理電源的所述外設執行掉電處理操作。

優選的，所述嵌入式系統為S905L系統。

優選的，所述多路電源包括：

第一電源，所述第一電源用于提供5V的所述標準供電電壓；

第二電源，所述第二電源用于提供3.3V的所述標準供電電壓；

第三電源，所述第三電源用于提供1.8V的所述標準供電電壓；