[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711218871.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN107819058B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林文禹;葉孟欣;羅云明;曾建堯;張中英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/04
• 分類號(hào): H01L33/04;H01L33/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.發(fā)光二極管，依次包括： N型導(dǎo)通層、超晶格層、發(fā)光層、P型電子阻擋層和P型導(dǎo)通層，其特征在于：所述超晶格層位于所述N型導(dǎo)通層和發(fā)光層之間，其由周期結(jié)構(gòu)堆疊而成，其中至少一個(gè)周期結(jié)構(gòu)包含第一子層、第二子層和第三子層，其中所述第一子層的能隙Eg1、第二子層的能隙Eg2和第三子層的能隙Eg3的關(guān)系為Eg1<Eg2<Eg3，且第三子層的能隙Eg3大于所述電子阻擋層的能隙Eg4。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)為360~420nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管的熱冷態(tài)因子H/C為70%以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述超晶格層的每個(gè)周期結(jié)構(gòu)包含第一子層、第二子層和第三子層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述超晶格層的至少三個(gè)周期包括所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述超晶格層包括至少一個(gè)第一種周期結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第二種周期結(jié)構(gòu)，所述第一種周期結(jié)構(gòu)包含所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層，所述第二種周期結(jié)構(gòu)包含第四子層和第五子層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第四子層和第五子層的材料選自第一子層、第二子層和第三子層中的兩種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述超晶格層的至少一個(gè)周期結(jié)構(gòu)為InGaN/AlGaN/AlN、GaN/AlGaN/AlN或者InGaN/GaN/AlN。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述超晶格的周期結(jié)構(gòu)數(shù)為3~30。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述超晶格的總厚度為100~3000埃。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一子層、第二子層和第三子層的厚度分別為100埃以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述周期結(jié)構(gòu)為InGaN/AlGaN/AlN，其中第一子層In_xGa_1-xN的In組分X為0~20%，第二子層Al_YGa_1-YN的Al組分Y的取值范圍為0~30%。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二子層Al_YGa_1-YN的Al組分Y是漸變的，每次的變化梯度為1%~5%。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光層為InGaN/AlGaN多量子阱結(jié)構(gòu)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述超晶格層為非故意摻雜層。