[發(fā)明專利]一種用于非晶磁粉芯絕緣包覆的無鉛低熔點(diǎn)玻璃粉及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711218740.2 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN108002703A | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張光祥;郭之軍;蔣飚;田景浪 | 申請(專利權(quán))人: | 貴州威頓晶磷電子材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C03C12/00 | 分類號: | C03C12/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 550014 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 非晶磁粉芯 絕緣 無鉛低 熔點(diǎn) 玻璃粉 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于非晶磁粉芯絕緣包覆用無鉛低熔點(diǎn)玻璃粉,其特征在于,由以下重量百分比的原料組成:Sn
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于非晶磁粉芯絕緣包覆用無鉛低熔點(diǎn)玻璃粉,其特征在于,由以下重量百分比的原料組成:Sn
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于非晶磁粉芯絕緣包覆用無鉛低熔點(diǎn)玻璃粉,其特征在于:所述添加劑X由Nb
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于非晶磁粉芯絕緣包覆用無鉛低熔點(diǎn)玻璃粉,其特征在于:所述的Sn
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于非晶磁粉芯絕緣包覆用無鉛低熔點(diǎn)玻璃粉的制備方法,其特征在于,包括下列步驟:
(1)按上述重量百分比稱取各原料,在混料機(jī)中攪拌轉(zhuǎn)動1h混合均勻;
(2)將混合料加入石英坩堝內(nèi),放入硅碳棒電阻爐內(nèi)加熱熔煉,熔煉溫度為950-1100℃,熔煉時(shí)間為30-60min;
(3)將熔煉好的玻璃液軋片、粉碎、研磨后進(jìn)行分級,得到粒度均勻的玻璃粉。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于貴州威頓晶磷電子材料股份有限公司,未經(jīng)貴州威頓晶磷電子材料股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711218740.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





