[發(fā)明專利]一種大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711217506.8 | 申請日： | 2017-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN107994107A | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 尹曉雪 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路86號*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 大功率 led 雙層 結(jié)構(gòu) 封裝 工藝 | ||
1.一種大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：
a、制備封裝散熱基板，將LED燈芯焊接在所述封裝散熱基板上，在封裝散熱基板上涂覆第一硅膠層；
b、在所述第一硅膠層上形成若干第一半球形凹槽；
c、在所述第一半球形凹槽內(nèi)涂覆第一透鏡硅膠并延伸至第一半球形凹槽外，形成第一球形透鏡；
d、在所述第一球形透鏡上部涂覆第二硅膠層，在所述第二硅膠層上涂覆第三硅膠層；
e、在所述第三硅膠層上形成若干第二半球形凹槽；
f、在所述第二半球形凹槽內(nèi)涂覆第二透鏡硅膠并延伸至第二半球形凹槽外，形成第二球形透鏡；
g、在所述第二球形透鏡上部涂覆第四硅膠層；
其中，所述第二硅膠層、所述第三硅膠層、所述第四硅膠層中至少一層具有熒光粉，所述LED燈芯為紫外燈芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述步驟b具體包括：
b1、將第一半球形模具壓制在所述第一硅膠層，形成第一半球形凹槽；
b2、對所述封裝散熱基板在第一預(yù)定溫度下烤制第一預(yù)定時(shí)間；
b3、去除所述第一半球形模具。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述步驟c具體包括：
c1、在所述第一半球形凹槽內(nèi)涂覆第一透鏡硅膠，形成下半球結(jié)構(gòu)；
c2、利用所述第一半球形模具，在所述下半球結(jié)構(gòu)上部涂覆第一透鏡硅膠，對應(yīng)形成上半球結(jié)構(gòu)，所述下半球結(jié)構(gòu)與所述上半球結(jié)構(gòu)結(jié)合形成所述第一球形透鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述步驟e具體包括：
e1、將第一半球形模具壓制在所述第三硅膠層，形成第二半球形凹槽；
e2、對所述封裝散熱基板在第一預(yù)定溫度下烤制第一預(yù)定時(shí)間；
e3、去除所述第一半球形模具。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述步驟f具體包括：
f1、在所述第二半球形凹槽內(nèi)涂覆第二透鏡硅膠，形成下半球結(jié)構(gòu)；
f2、利用所述第一半球形模具，在所述下半球結(jié)構(gòu)上部涂覆第二透鏡硅膠，對應(yīng)形成上半球結(jié)構(gòu)，所述下半球結(jié)構(gòu)與所述上半球結(jié)構(gòu)結(jié)合形成第二球形透鏡。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述步驟g具體包括：
g1、利用第二半球形模具在所述第四硅膠層上形成半球形凸透結(jié)構(gòu)；
g2、對所述封裝散熱基板在第二預(yù)定溫度下烤制第二預(yù)定時(shí)間；
g3、去除所述第二半球形模具。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述第一硅膠層折射率、所述第二硅膠層折射率、所述第三硅膠層折射率、所述第四硅膠層折射率依次增大；且所述第一球形透鏡折射率大于所述第二硅膠層折射率，第二球形透鏡折射率大于所述第四硅膠層折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述第一預(yù)定溫度為90℃-125℃，所述第一預(yù)定時(shí)間為15min-60min。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述第二預(yù)定溫度為100℃-150℃，所述第二預(yù)定時(shí)間為4h-12h。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的大功率LED雙層結(jié)構(gòu)封裝工藝，其特征在于，所述第一球形透鏡、第二球形透鏡在所述封裝散熱基板上形成規(guī)則的陣列。
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