[發明專利]一種大功率LED封裝工藝

在審

• 申請號: 201711216180.7
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN107833952A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 張亮
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/64
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙)61230
• 代理人: 劉長春

1.一種大功率LED封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：

a、制備封裝散熱基板，將LED燈芯焊接在所述封裝散熱基板上，在所述封裝散熱基板上涂覆第一硅膠層；

b、在所述第一硅膠層上形成若干半球型凹槽；

c、在所述半球形凹槽內涂覆透鏡硅膠并延伸至所述半球形凹槽外，形成球形透鏡；

d、在所述球形透鏡上部涂覆第二硅膠層。

2.根據權利要求1所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述制備封裝散熱基板具體包括：

a1、選擇原始散熱基板；

a2、在所述原始散熱基板一平面沿著寬度方向開設若干間隔預定距離的槽體，得到所述封裝散熱基板；

其中，所述槽體為半圓柱型槽體。

3.根據權利要求1所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述步驟b具體包括：

b1、將第一半球形模具壓制在所述第一硅膠層，形成所述半球形凹槽；

b2、對所述第一硅膠層在第一預定溫度下烤制第一預定時間；

b3、去除所述第一半球形模具。

4.根據權利要求1所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述步驟c具體包括：

c1、在所述半球形凹槽內涂覆透鏡硅膠，形成下半球結構；

c2、利用所述第一半球形模具，在所述下半球結構上部涂覆透鏡硅膠，對應形成上半球結構，所述下半球結構與所述上半球結構結合形成所述球形透鏡。

5.根據權利要求1所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述步驟d具體包括：

d1、利用第二半球形模具在所述第二硅膠層上形成半球形凸透結構；

d2、對所述第二硅膠層在第二預定溫度下烤制第二預定時間；

d3、去除所述第二半球形模具。

6.根據權利要求1-5任一項所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述第一硅膠層的折射率小于所述第二硅膠層的折射率，且所述球形透鏡的折射率大于所述第二硅膠層的折射率。

7.根據權利要求3所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述第一預定溫度為90℃-125℃，所述第一預定時間為15min-60min。

8.根據權利要求5所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述第二預定溫度為100℃-150℃，所述第二預定時間為4h-12h。

9.根據權利要求1-5任一項所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述球形透鏡在所述封裝散熱基板上形成規則的陣列。

10.根據權利要求1-5任一項所述的大功率LED封裝工藝，其特征在于，所述封裝散熱基板為鋁散熱基板。