[發明專利]一種砷化鎵晶圓的光刻工藝

在審

• 申請號: 201711215505.X
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108198750A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 宋健
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/306;H01L21/308
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻

1.一種砷化鎵晶圓的光刻工藝，其特征在于包括以下步驟：

1)于砷化鎵晶圓表面沉積氮化硅層，氮化硅層的厚度為30～80nm；

2)于氮化硅層上涂布正光阻，并通過曝光、顯影形成蝕刻窗口；

3)對蝕刻窗口之內的氮化硅進行干法蝕刻至裸露砷化鎵表面，所述干法蝕刻的蝕刻氣體為SF₆；

4)對蝕刻窗口之內的砷化鎵進行濕法蝕刻，所述濕法蝕刻的蝕刻液為H₃PO₄+H₂O₂；

5)剝離光阻；

6)通過干法蝕刻去除余下的氮化硅，所述干法蝕刻的蝕刻氣體為SF₆。

2.根據權利要求1所述的光刻工藝，其特征在于：所述氮化硅層的厚度為40～60nm。

3.根據權利要求1所述的光刻工藝，其特征在于：所述氮化硅層的沉積方式為等離子體增強化學氣相沉積。

4.根據權利要求1所述的光刻工藝，其特征在于：步驟4)中，所述蝕刻液濃度為H₃PO₄+H₂O₂的質量分數為8～15％，濕法蝕刻的時間為30～50s。

5.根據權利要求1所述的光刻工藝，其特征在于：步驟5)中，通過N-甲基吡咯烷酮剝離光阻。

6.根據權利要求1所述的光刻工藝，其特征在于：步驟6)中，還包括對去除氮化硅后的砷化鎵晶圓表面進行清洗的步驟，所述清洗溶液為鹽酸。