[發(fā)明專利]一種LED封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711215135.X
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108011010B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張亮
• 申請（專利權(quán)）人: 蔡翔
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/58
• 代理公司: 北京鼎德寶專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11823
• 代理人: 牟炳彥

本發(fā)明涉及一種LED封裝方法，其中，包括，準(zhǔn)備散熱基板(21)；準(zhǔn)備LED芯片，并將所述LED芯片固接在所述散熱基板(21)上；在所述LED芯片的上表面形成第一硅膠層(22)；在所述第一硅膠層(22)的上表面形成半球形透鏡層(23)，所述半球形透鏡層(23)包括多個半球形透鏡；在所述半球形透鏡層(23)和所述第一硅膠層(22)上方形成第二硅膠層(24)，所述第二硅膠層(24)含有熒光粉；將包括所述第一硅膠層(22)、所述半球形透鏡層(23)和所述第二硅膠層(24)的LED封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行長烤，以完成所述LED的封裝。本發(fā)明實施例通過在第一硅膠層和第二硅膠層之間設(shè)置半球形透鏡層，且在第二硅膠層內(nèi)設(shè)置熒光粉，使得光束更加集中且照射均勻，而且避免了熒光粉與LED芯片直接接觸，提高了取光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于光電器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED封裝方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，其被廣泛應(yīng)用于顯示屏、交通訊號、顯示光源、汽車用燈、LED背光源、照明光源等領(lǐng)域。

然而本領(lǐng)域技術(shù)人員在實際應(yīng)用中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題：

1、由于LED光源發(fā)出的光一般呈發(fā)散式分布，導(dǎo)致光照不集中，通過外部透鏡進(jìn)行二次整形，則增加了生產(chǎn)成本；

2、熒光粉一般是直接涂敷在芯片表面上的，LED芯片產(chǎn)生的高溫降低了熒光粉的量子效率，此外，芯片對熒光粉向后反射的光具有吸收作用，降低了封裝結(jié)構(gòu)的取光效率；

3、由于封裝結(jié)構(gòu)對光的阻擋作用，導(dǎo)致光照不能從封裝結(jié)構(gòu)中全部照射出去，光照透過率較低。

因此，研制出一種取光效率高、發(fā)光效果好的封裝技術(shù)是目前的熱點研究方向。

發(fā)明內(nèi)容

針對以上存在的問題，本發(fā)明提出了一種新的LED封裝方法，具體的實施方式如下。

具體的，本發(fā)明實施例提供一種LED封裝方法，其中，包括，

步驟1、準(zhǔn)備散熱基板21；

步驟2、準(zhǔn)備LED芯片，并將所述LED芯片固接在所述散熱基板21上；

步驟3、在所述LED芯片的上表面形成第一硅膠層22；

步驟4、在所述第一硅膠層22的上表面形成半球形透鏡層23，所述半球形透鏡層23包括多個半球形透鏡；

步驟5、在所述半球形透鏡層23和所述第一硅膠層22上方形成第二硅膠層24，所述第二硅膠層24含有熒光粉；

步驟6、將包括所述第一硅膠層22、所述半球形透鏡層23和所述第二硅膠層24的LED封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行長烤，以完成所述LED的封裝。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述LED芯片為氮化鎵鋁紫外芯片，所述熒光粉為紅色、綠色和藍(lán)色三種熒光粉混合而成。

在本發(fā)明的一個實施例中，步驟3包括：

步驟31、在所述LED芯片上表面涂覆第一硅膠；

步驟32、對所述第一硅膠進(jìn)行第一初烤，以形成所述第一硅膠層22，所述第一初烤溫度為90-125°，時間為15-60分鐘。

在本發(fā)明的一個實施例中，步驟4包括：

步驟41、利用第一半球形模具形成多個半球形硅膠球，并將帶模具的所述多個半球形硅膠球置于所述第一硅膠層22上；

步驟42、對所述多個半球形硅膠球進(jìn)行第二初烤、脫模和打磨，以形成半球形透鏡層23，所述第二初烤溫度為90-125°，時間為15-60分鐘。